Войти   |
Зарегистрироваться

Проверить заказ
Интернет-магазин
+7 (495) 97-000-99, (812) 232-52-21
shop@platan.ru
 
Корзина: пока пуста

CM100DY-34A, 2 IGBT 1700V 100A 5-gen (A-Series)

Mitsubishi
На складе: 26 шт в Москве
Нужно больше?

от 204958.67 руб./шт
от 144992.45 руб./шт
от 85026.22 руб./шт
от 25060.00 руб./шт
от 15210.00 руб./шт

Цены указаны с НДС, наличие указано на 18.08.2019 04:01

1 2 8 14 20
шт
=
5210.00
руб.

по 5210.00 руб./шт
'

Информация для заказа

Номенклатурный номер 739555040
Производитель: Mitsubishi


 

Макс.напр.к-э,В 1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Входная емкость затвора,нФ 24.7
Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 960
Максимальный ток эмиттера, А 200
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 7
Напряжение эмиттер-коллектор,В -
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 150
Напряжение изоляции, В 3500
Температурный диапазон,С -40...150
Производитель Mitsubishi

Документация производителя (datasheet)

Обзор продукции: IGBT модули

Сайт производителя: Mitsubishi

Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno@platan.ru

Описание

Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2,4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность.
Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля.
В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.

Посмотреть еще

Нужна помощь в выборе продукции или подборе аналога?
Обратитесь к нашему консультанту webmaster@platan.ru

Указано наличие на складе в г.Москве. Цены приведены с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 3 рабочих дня и зафиксирована цена на день покупки.

  • Способы оплаты
  • Доставка по России
  • Пункты самовывоза
  • Политика качества