RSG40N120HW, биполярный транзистор с изолированным затвором , IC=40А, VCES=1200 В
RSG75N65HW, биполярный транзистор с изолированным затвором IC=75А ,VCES=650 В
SI2318CDS-T1-GE3, транзистор, N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
SI3585CDV-T1-GE3, транзистор MOSFET N/P-CH 20V/20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
SI4490DY-T1-GE3, МОП-транзистор (MOSFET) N-CH, Vds - 200V, Id - 4A, Rds - 80 mOhms, SO-8
SS8550, Биполярный транзистор, PNP, -25 В 1 Вт -1.5 А 120 hFE TO-92
SS8550-H, PNP транзистор общего назначения, -25В, -1.5A, 300мВт [SOT-23] = SS8550
STD20NF06L, [TO-252]; MOSFETs ROHS;=MTD20N06HD(ON);=SUD25N06(Vishay); STD20NF06L=(ST)= YOUTAI