Компания Mitsubishi Electric Corporation

Mitsubishi Electric Corporation является общепризнанным лидером на мировом рынке высокочастотных (ВЧ) и сверхвысокочастотных (СВЧ) электронных компонентов и силовых интеллектуальных IGBT модулей. Кремниевые ВЧ транзисторы представлены изделиями с различной выходной мощностью (от 0.2 до 100 Вт), рассчитанными на работу в диапазоне частот от 30 до 1650 МГц.

Номенклатура кремниевых ВЧ гибридных усилительных модулей насчитывает около 300 наименований.

Модули представляют собой функционально законченные изделия, широко используемые в современной портативной и мобильной аппаратуре связи, работающей в различных стандартах (GSM, DAMPS, E-TACS, NMT, TETRA и др.) с частотой (FM), амплитудной (AM) и однополосной (SSB)модуляцией или фазовой манипуляцией (PSK) сигнала. Выпускаются модули с выходной мощностью от 1.5 до 60 Вт в диапазоне частот от 54 до 1650 МГц при напряжении питания от 6 до 12.5 В.

Малошумящие GaAs транзисторы были специально разработаны для использования во входных каскадах усилителей, смесителей и генераторов СВЧ диапазона. Они прекрасно зарекомендовали себя при работе в малошумящих и сверхмалошумящих блоках СВЧ конвертеров спутникового ТВ вещания, в высокочастотных блоках наземных и спутниковых систем телекоммуникаций и связи, а также в ряде других устройств СВЧ техники диапазона 0.5...20 ГГц.

Малошумящие GaAs транзисторы представлены двумя группами: FET (Field Effect Transistor) - полевые транзисторы и HEMT (High Electron Mobility Transistor) - транзисторы с высокой подвижностью электронов.

Мощные (0.2...100 Вт) полевые GaAs транзисторы разделены на две группы: широкополосные (внутренне несогласованные) транзисторы. Они предназначены для работы в диапазоне частот от 0.5 до 16 ГГц.

В настоящее время выпускаются мощные широкополосные (внутренне несогласованные) GaAs полевые транзисторы фирмы MITSUBISHI с номинальной выходной мощностью от 0.2 до 12.5 Вт. Основная область их применения - использование в предоконечных и оконечных каскадах узкополосных и широкополосных СВЧ усилителей мощности различного назначения.

Мощные узкополосные (внутренне согласованные) GaAs полевые транзисторы незаменимы в оконечных каскадах СВЧ усилителей, как общего, так и специального назначения, где особую роль играют экономичность, надежность и массогабаритные показатели. В частности, они широко используются в наземных и спутниковых системах телекоммуникаций и связи, в портативных радиолокаторах и ряде других устройств СВЧ техники.

GaAs модули и монолитные микросхемы ВЧ усилителей мощности предназначены, в основном, для использования в миниатюрных радиотелефонах различных цифровых стандартов связи, работающих в диапазонах 800-900 МГц и 1.4...1.9 ГГц. Выходная мощность данных изделий обычно составляет 0.2-2 Вт, коэффициент усиления - 25-30 дБ, КПД - 40-50%, напряжение источника питания - 3-6 В. Вместе с тем, для диапазона 1.8...1.9 ГГц фирма MITSUBISHI выпускает и более мощные (2-30 Вт) СВЧ модули и интегральные ВЧ устройства, предназначенные для использования в базовых станциях подвижной связи.

Силовые интеллектуальные IGBT модули выпускаются на напряжение 600 и 1200 В и позволяют с минимальными дополнительными компонентами реализовывать адаптивное управление трех или одно фазными сильноточными объектами, при этом функции защиты. Накачки заряда и обратной связи реализованы средствами самого модуля.