Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН
Товаров: 0
На сумму: 0 руб.
КАТАЛОГ
Электронные компоненты, радиодеталиКоммутацияОптоэлектроникаИндикацияСветодиоды осветительныеОсвещениеИсточники питанияДатчикиКорпусные и установочные изделияПровода, шнуры, расходные материалыИзмерительные приборыПаяльное оборудованиеИнструментПромышленная автоматикаЭлектротехническое оборудованиеЭлектроника для дома и авто

IRGP50B60PD1PBF, IGBT транзистор 600В 45А 60-150кГц

Номенклатурный номер: 2004647055
Производитель: Infineon

Infineon IRGP50B60PD1PBF, IGBT транзистор 600В 45А 60-150кГц Infineon
   Изображения служат только для ознакомления
Наличие:  3 шт. на складе в Москве
Цены:
от 75 - 1409.52 руб.
от 50 - 1409.52 руб.
от 18 - 1409.52 руб.
от 9 - 1435.60 руб.
от 1 - 1506.19 руб.
мин.заказ 0 шт

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 2004647055
Артикул: IRGP50B60PD1PBF
Производитель: Infineon

Infineon

Описание

Транзистор IRGP50B60PD1PBF – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления.
Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока IRGP50B60PD1PBFобеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом транзистор IRGP50B60PD1PBF, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала.
IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.
Показать весь тект

Технические характеристики

Производитель Infineon
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.35
Максимальная частота переключения, кГц 150
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением
n-канал с диодом
Мощность макс.,Вт 390
Корпус TO247AC
Вес:7 гр.

Чертеж

Документация

IRGP50B60PD1PBF (datasheet)

Сайт производителя: Infineon

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Boxberry
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплатить товар можно:

  • Банковским переводом
  • Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
  • Пластиковой картой Visa/MasterCard (кроме клиентов с самовывозом из Санкт-Петербурга)

Близкие по параметрам к IRGP50B60PD1PBF

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Корзина

Товар добавлен в корзину!