транзисторы биполярные импортные Корпус: TO-263 TO-263

Код: 2015795138

MJB45H11T4G, D2Pak (TO-263)

10 шт

65.85	/шт от 1 шт
64.28	/шт от 11 шт

Код: 2015795137

ONS

MJB44H11G, D2Pak (TO-263)

64 шт 5 раб. дней

243.82	/шт от 1 шт
226.59	/шт от 9 шт

Код: 2015956413

YJB100GP06H, Биполярный транзистор P-канал 60B 100A 178Вт TO-263 (=IRF9Z34STRRPBF)

под заказ

88.00	/шт от 1 шт
70.40	/шт от 100 шт

Код: 2015730881

YJB110G10B, Биполярный транзистор 100B 110A 260Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730884

YJB118G08H, Биполярный транзистор 85B 118A 156Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730879

YJB120G08A, Биполярный транзистор 80B 100A 208Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730882

YJB180G10B, Биполярный транзистор 100B 180A 357Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730857

YJB200G06A, Биполярный транзистор 60B 200A 260Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730858

YJB200G06B, Биполярный транзистор 60B 200A 260Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730894

YJB30GP10A, Биполярный транзистор P-канал 100B 30A 125Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730871

YJB70G10A, Биполярный транзистор 100B 70A 125Вт TO-263

под заказ

740.00	/шт от 1 шт
274.00	/шт от 5 шт

DPAK/TO-252AA
MT-200
SC-74-6
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-18 (TO-206AA)
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220C
TO-220F
TO-220FA
TO-220FP
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TSSOP-6

Производитель
----- AMPLEON BLUE ROCKET BROADCOM/AVAGO CDIL CENTRAL CJ DC COMPONENTS DI DIODES INC DIODES INC. DIODESZETEX DIOTEC FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH GALAXY GOFORD HITACHI HOTTECH HUAAOE ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON ISC ISCSEMI IXYS JCET JILIN SINO JSCJ JSMICRO KEC KINGTRONICS KUU LGE LRC MATSUSHITA MCC MDD MOSPEC MOTOROLA NEC NEX-NXP NTE ELECTRONICS NXP SEMICONDUCT ONS PHI PHILIPS REASUNOS ROHM SANKEN SANYO SCHN SEMTECH SHIKUES SMARTMODULE SPTECH STM TI TOPDIODE MANUFA TOPDIODES TOSHIBA UMW UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ ZH ZTX ИНТЕГРАЛ КИТАЙ КРЕМНИЙ РОССИЯ ТАЙВАНЬ
Структура
NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон PNP с резист.сборкой
U_{кбо максимальное},В
12 20 25 30 32 40 45 50 60 80 100 125 140 160 180 230 250 300 400 450 500 1500
U_{кэ максимальное},В
12 20 25 30 32 40 45 50 60 65 80 100 120 125 150 160 180 230 250 300 350 400 450 600 700 1500
I_{ток коллектора},А
0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.225 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 1 1.5 2 3 3.5 4 5 6 7 8 10 15
h_{fe коэффициент передачи}
5 5.5 8 10 16 20 25 30 40 50 53 55 60 70 100 110 120 125 140 160 180 200 220 230 250 290 420 475 500 520 750 1000 1500 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 4.5
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
1 3 6 9 15 20 30 40 50 60 80 85 100 125 145 150 170 175 180 200 210 250 300 400 9000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.75 0.8 0.83 1 1.5 1.75 2 3 12.5 15 20 35 36 40 45 50 60 65 70 80 125 150
Корпус

транзисторы биполярные импортные 11

транзисторы биполярные импортные ₁₁