Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы полевые импортные YJ101

Производитель  



































































































Структура  







Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 














































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 














































































































































Крутизна S, А/В 





































































































































































































Особенности  
Корпус  
Код: 2013048836
2N7002, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23]
YJ

2N7002, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23]

29090 шт
шт.
Код: 2015811277
BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23]
YJ

BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23]

2000 шт
шт.
Код: 2015856197
MJD31CQ, NPN силовой транзистор, 100В, 3А, 1.6Вт (TO-252)
YJ

MJD31CQ, NPN силовой транзистор, 100В, 3А, 1.6Вт (TO-252)

5000 шт
шт.
Код: 2015762136
MJD32CQ, PNP силовой транзистор, -100В, -3А, 1.25Вт (TO-252)
YJ

MJD32CQ, PNP силовой транзистор, -100В, -3А, 1.25Вт (TO-252)

2095 шт
шт.
Код: 2013048847
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
YJ

YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

135 шт
шт.
Код: 2015808911
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В
YJ

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

336 шт
шт.
Код: 2015810027
YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF
YJ

YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF

9655 шт
шт.
Код: 2015727505
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
YJ

YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

4478 шт
шт.
Код: 2015730438
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
YJ

YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]

4808 шт
шт.
Код: 2015721615
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]
YJ

YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]

9988 шт
шт.
Код: 2012172012
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP
YJ

YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP

5560 шт
шт.
Код: 2015102892
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060
YJ

YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060

2360 шт
шт.
Код: 2012172015
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]
YJ

YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]

1740 шт
шт.
Код: 2014859872
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
YJ

YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF

2470 шт
шт.
Код: 2012172013
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
YJ

YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF

1680 шт
шт.
Код: 2015810028
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25
YJ

YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

1895 шт
шт.
Код: 2012172008
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
YJ

YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346

3340 шт
шт.
Код: 2013048873
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
YJ

YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]

300 шт
шт.
Код: 2015712654
YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)
YJ

YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)

6980 шт
шт.
Код: 2015678034
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)
YJ

YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)

55 шт
шт.
Код: 2015116510
MMBT4401, NPN транзистор 60В 0.6А SOT-23-3 (=MMBT4401LT1G)
YJ

MMBT4401, NPN транзистор 60В 0.6А SOT-23-3 (=MMBT4401LT1G)

1 шт
шт.
Код: 2015727509
YJG90G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN 5X6] = FDMS8615
YJ

YJG90G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN 5X6] = FDMS8615

30 шт
шт.
Код: 2012172014
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U
YJ

YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U

2883 шт
шт.
Код: 2016391631
2N7002, SOT23-3
YJ

2N7002, SOT23-3

17888 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2015770861
2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 340мА 0.35Вт [SOT-23-3]
YJ

2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 340мА 0.35Вт [SOT-23-3]

1-2 недели (15504шт)
шт.
Код: 2016422213
MG300HF12TLC2
YJ

MG300HF12TLC2

10 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2016115137
YJB30GP10A, TO-263
YJ

YJB30GP10A, TO-263

5 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2016115139
YJD25GP06A, TO-252
YJ

YJD25GP06A, TO-252

910 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2015945070
YJD45G10A, TO-252
YJ

YJD45G10A, TO-252

906 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2015945069
YJD50N06A, TO-252
YJ

YJD50N06A, TO-252

907 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2015906797
YJG200G04BR, PDFN5*6
YJ

YJG200G04BR, PDFN5*6

1000 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2015943972
YJS05N06A, SOIC8
YJ

YJS05N06A, SOIC8

1390 шт 5 раб. дней
шт.
Код: 2013048841
BSS123, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 350мВт [SOT-23]
YJ

BSS123, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 350мВт [SOT-23]

под заказ
шт.
Код: 2012172009
YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF
YJ

YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016846402
YJL2304B, Транзисторы и сборки MOSFET
YJ

YJL2304B, Транзисторы и сборки MOSFET

под заказ
шт.
Код: 2013048837
2N7002A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23]
YJ

2N7002A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23]

под заказ
шт.
Код: 2012016924
2N7002K, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23]
YJ

2N7002K, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23]

под заказ
шт.
Код: 2014449178
2N7002KA, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.3А, 350Вт [SOT-23]
YJ

2N7002KA, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.3А, 350Вт [SOT-23]

под заказ
шт.
Код: 2013048839
2N7002KW, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-323]
YJ

2N7002KW, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-323]

под заказ
шт.
Код: 2013048840
2N7002W, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 150мВт  [SOT-323]
YJ

2N7002W, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 150мВт [SOT-323]

под заказ
шт.
Код: 2015715215
BCP56, NPN транзистор, 80В, 1А, 1.5Вт [SOT-223]
YJ

BCP56, NPN транзистор, 80В, 1А, 1.5Вт [SOT-223]

под заказ
шт.
Код: 2013048842
BSS123W, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 150мВт [SOT-323]
YJ

BSS123W, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 150мВт [SOT-323]

под заказ
шт.
Код: 2013048843
BSS138, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 50В, 340мА, 350мВт [SOT-23] = BSS138LT1G
YJ

BSS138, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 50В, 340мА, 350мВт [SOT-23] = BSS138LT1G

под заказ
шт.
Код: 2016115124
DTC143ZUA, транзистрор NPN, 100мА, 200мВт  (SOT-323)
YJ

DTC143ZUA, транзистрор NPN, 100мА, 200мВт (SOT-323)

под заказ
шт.
Код: 2012172010
YJB150N06BQ, [TO-263] MOSFET транзистор N-канальный 60В 150А
YJ

YJB150N06BQ, [TO-263] MOSFET транзистор N-канальный 60В 150А

под заказ
шт.
Код: 2015730449
YJB70G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 70А, 125Вт [TO-263]
YJ

YJB70G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 70А, 125Вт [TO-263]

под заказ
шт.
Код: 2013048846
YJD15N10A, MOSFET транзистор N-канальный 100В 15А [TO-252]
YJ

YJD15N10A, MOSFET транзистор N-канальный 100В 15А [TO-252]

под заказ
шт.
Код: 2015986349
YJD212030NCTGH, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 78A, 220В
YJ

YJD212030NCTGH, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 78A, 220В

под заказ
шт.
Код: 2016414175
YJD212040NCFG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А, 300Вт TO247-4L (=C3M0065090D C3M0075120K)
YJ

YJD212040NCFG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А, 300Вт TO247-4L (=C3M0065090D C3M0075120K)

под заказ
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!