Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы полевые импортные 4478

Производитель  






























































































Структура  







Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 











































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 







































































































































Крутизна S, А/В 



























































































































































































Особенности  
Корпус  
Код: 2016543752
2SK2232-VB, Транзистор N канал  60В 45А 52Вт [TO-220F] = 2SK2232
VBSEMI

2SK2232-VB, Транзистор N канал 60В 45А 52Вт [TO-220F] = 2SK2232

под заказ
шт.
Код: 2016542499
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]    = FDD6637
VBSEMI

FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] = FDD6637

под заказ
шт.
Код: 2016543609
FDS8958A-NL-VB, транзистор 30В 7А NP (SO8)
VBSEMI

FDS8958A-NL-VB, транзистор 30В 7А NP (SO8)

под заказ
шт.
Код: 2016543164
FDS9435A-NL-VB, транзистор P канал 30V 5.8A 42m-@10V,5.8A  (SOP-8) = FDS9435A
VBSEMI

FDS9435A-NL-VB, транзистор P канал 30V 5.8A 42m-@10V,5.8A (SOP-8) = FDS9435A

под заказ
шт.
Код: 2016543593
IPB530N15N3G-VB, транзистор N канал 150V  21A (TO263) = IPB530N15N3G
VBSEMI

IPB530N15N3G-VB, транзистор N канал 150V 21A (TO263) = IPB530N15N3G

под заказ
шт.
Код: 2016542425
IRF3205STRPBF-VB, транзистор N канал 100A 6m-@10V (TO-263) = IRF3205S
VBSEMI

IRF3205STRPBF-VB, транзистор N канал 100A 6m-@10V (TO-263) = IRF3205S

под заказ
шт.
Код: 2016542700
IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak= IRF5305STRLPBF
VBSEMI

IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak= IRF5305STRLPBF

под заказ
шт.
Код: 2016827636
IRF630PBF-VB, транзистор N канал 200В 10А (TO220AB)= IRF630PBF
VBSEMI

IRF630PBF-VB, транзистор N канал 200В 10А (TO220AB)= IRF630PBF

под заказ
шт.
Код: 2016542432
IRF7103TRPBF-VB, Транзистор N канал  50V 3A [SOIC-8] = IRF7103TRPBF
VBSEMI

IRF7103TRPBF-VB, Транзистор N канал 50V 3A [SOIC-8] = IRF7103TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016542713
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8]    = IRF7105TRPBF
VBSEMI

IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] = IRF7105TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016542420
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8]  = IRF7240PBF
VBSEMI

IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8] = IRF7240PBF

под заказ
шт.
Код: 2016568936
IRF7313TRPBF -VB, транзистор 2N канал 30В 6.5А (SO8)= IRF7313TRPBF
VBSEMI

IRF7313TRPBF -VB, транзистор 2N канал 30В 6.5А (SO8)= IRF7313TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016827618
IRF7324TRPBF-VB, транзистор 2P канал -20В -9А [SO8]
VBSEMI

IRF7324TRPBF-VB, транзистор 2P канал -20В -9А [SO8]

под заказ
шт.
Код: 2016542712
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]    = IRF7341TRPBF
VBSEMI

IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] = IRF7341TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016543621
IRF7410TRPBF-VB, транзистор P канал -12В -16А (SO8) = IRF7410TRPBF
VBSEMI

IRF7410TRPBF-VB, транзистор P канал -12В -16А (SO8) = IRF7410TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016568937
IRF7425TRPBF-VB, транзистор P канал 20В -15А (SO8  ) = IRF7425TRPBF
VBSEMI

IRF7425TRPBF-VB, транзистор P канал 20В -15А (SO8 ) = IRF7425TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016827640
IRF7473TRPBF, транзистор Nкан 100В 6.9А  SO8  = IRF7473TPBF
VBSEMI

IRF7473TRPBF, транзистор Nкан 100В 6.9А SO8 = IRF7473TPBF

под заказ
шт.
Код: 2016568931
IRF7842TRPBF-VB, транзистор N канал 40в 18А (SO8 ) = IRF7842TRPBF
VBSEMI

IRF7842TRPBF-VB, транзистор N канал 40в 18А (SO8 ) = IRF7842TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016569302
IRF8736TRPBF-VB, транзистор Nкан 30В 18А SO8 (IRF7805,IRF7822,IRF7835,IRF7836,IRF8113)
VBSEMI

IRF8736TRPBF-VB, транзистор Nкан 30В 18А SO8 (IRF7805,IRF7822,IRF7835,IRF7836,IRF8113)

под заказ
шт.
Код: 2016542701
IRF9362TRPBF-VB, транзистор 2Pкан -30В -8А  SO8   = IRF9362TRPBF
VBSEMI

IRF9362TRPBF-VB, транзистор 2Pкан -30В -8А SO8 = IRF9362TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016569309
IRFL9110TRPBF-VB, транзистор P канал 100V 3A (SOT-223-4) =  IRFL9110TRPBF
VBSEMI

IRFL9110TRPBF-VB, транзистор P канал 100V 3A (SOT-223-4) = IRFL9110TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016569034
IRFP460PBF, TO-247AC
VBSEMI

IRFP460PBF, TO-247AC

под заказ
шт.
Код: 2016827633
IRFR420ATRPBF-VB, транзистор N канал 500В 3.3А (TO -252)
VBSEMI

IRFR420ATRPBF-VB, транзистор N канал 500В 3.3А (TO -252)

под заказ
шт.
Код: 2016569033
IRFR5305TRPBF-VB, DPAK/TO-252AA
VBSEMI

IRFR5305TRPBF-VB, DPAK/TO-252AA

под заказ
шт.
Код: 2016543597
IRFR9024NTRPBF-VB, транзистор Р канал -60В -26А (TO-252)  = IRFR9024NTRPBF
VBSEMI

IRFR9024NTRPBF-VB, транзистор Р канал -60В -26А (TO-252) = IRFR9024NTRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016543601
IRL6372TRPBF-VB, Транзистор N канал 30V 7.5A (SO-8) =  IRL6372TRPBF
VBSEMI

IRL6372TRPBF-VB, Транзистор N канал 30V 7.5A (SO-8) = IRL6372TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016543599
IRLL110TRPBF-VB, Транзистор N канал 100V 10A (SOT-223) = IRLL110TRPBF
VBSEMI

IRLL110TRPBF-VB, Транзистор N канал 100V 10A (SOT-223) = IRLL110TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016542397
IRLML0100TRPBF-VB, низковольтный N-канальный MOSFET,100V 2A 240m-@10V,2A SOT-23-3 = IRLML0100TRPBF
VBSEMI

IRLML0100TRPBF-VB, низковольтный N-канальный MOSFET,100V 2A 240m-@10V,2A SOT-23-3 = IRLML0100TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016569310
IRLML2244TRPBF-VB, транзистор P канал20В -4.3A (SOT23)= IRLML2244TRPBF
VBSEMI

IRLML2244TRPBF-VB, транзистор P канал20В -4.3A (SOT23)= IRLML2244TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016827606
IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30  (SOT23-3)
VBSEMI

IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30 (SOT23-3)

под заказ
шт.
Код: 2016827613
IRLML6344TR-VB, транзистор N канал 30В 5А Micro3/SOT23  = IRLML6344TRPBF
VBSEMI

IRLML6344TR-VB, транзистор N канал 30В 5А Micro3/SOT23 = IRLML6344TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016569032
IRLML6401TRPBF-VB, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
VBSEMI

IRLML6401TRPBF-VB, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016543323
IRLML6402TRPBF-VB, транзистор P канал  20V 5A (SOT-23-3)  = IRLML6402TRPBF
VBSEMI

IRLML6402TRPBF-VB, транзистор P канал 20V 5A (SOT-23-3) = IRLML6402TRPBF

под заказ
шт.
Код: 2016543610
IRLR3636TRPBF-VB, Транзистор N-канал, 97A, 60V (TO 252) = IRLR3636TRPBF
VBSEMI

IRLR3636TRPBF-VB, Транзистор N-канал, 97A, 60V (TO 252) = IRLR3636TRPBF

под заказ
шт.
Код: 597808820
IRS25751LTRPBF, драйвер 480В  SOT-23-5L
Infineon

IRS25751LTRPBF, драйвер 480В SOT-23-5L

19 шт
шт.
Код: 2016543622
NDT2955 -VB, Транзистор P канал -60V -10A (SOT-223) = NDT2955
VBSEMI

NDT2955 -VB, Транзистор P канал -60V -10A (SOT-223) = NDT2955

под заказ
шт.
Код: 2016542399
NDT454P-VB, P Channel MOSFET 35V 6.2A 40m-@10V,5A 4.2W 1.8V@250uA 95pF@20V 970pF@20V 9.8nC@4.5V -55-
VBSEMI

NDT454P-VB, P Channel MOSFET 35V 6.2A 40m-@10V,5A 4.2W 1.8V@250uA 95pF@20V 970pF@20V 9.8nC@4.5V -55-

под заказ
шт.
Код: 2016543624
PSMN017-80BS-VB, Транзистор N канал 80V 120A 6mOhm@10V (TO-263) = PSMN017-80BS,118
VBSEMI

PSMN017-80BS-VB, Транзистор N канал 80V 120A 6mOhm@10V (TO-263) = PSMN017-80BS,118

под заказ
шт.
Код: 2016542710
SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3] = SI2300DS-T1-GE3
VBSEMI

SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3] = SI2300DS-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2016542709
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор  N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]= SI2308BDS-T1-GE3
VBSEMI

SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]= SI2308BDS-T1-GE3

под заказ
шт.

Купить транзисторы полевые импортные в интернет-магазине

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал, и управляемым электрическим полем. Полевой транзистор в отличии от биполярного называют униполярным, так как его работа основана на использовании только основных носителей заряда – либо электронов, либо дырок. Поэтому в полевых транзисторах отсутствуют изменения (накопления и рассасывания) объемного заряда неосновных носителей, оказывающие заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов.

Интернет-магазин Платан предлагает Транзисторы и транзисторы полевые импортные различных производителей по конкурентной цене. Для выбора компонента используйте поиск по параметрам, техническую документацию и описание. Доставка товара осуществляется различными транспортными компаниями или самовывозом из офисов в Москве и Санкт-Петербурге, предлагаем любые виды оплаты.

Корзина

Товар добавлен в корзину!