Силовые IGBTи SiC модули

Наименование Наличие Цена, руб. с НДС Купить

BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 1200В 50A
Infineon 2015849809

документация

9 шт

5500.00	/шт от 1 шт
5260.00	/шт от 3 шт

CM1000DXL-24S, модуль 2 IGBT 1000А 1200В поколение NX6
Mitsubishi 87771234
лучшая цена
документация

1 шт

20000.00	/шт от 1 шт
19000.00	/шт от 2 шт

CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N
Mitsubishi 157658619

документация

8 шт

130000.00	/шт от 1 шт
117000.00	/шт от 2 шт

CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6
Mitsubishi 464874253
лучшая цена
документация

13 шт

6000.00	/шт от 1 шт
4980.00	/шт от 2 шт

CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
Mitsubishi 2012123694

документация

3 шт

3400.00	/шт от 1 шт
3170.00	/шт от 2 шт

CM200DY-24A модуль, 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
Mitsubishi 2015431395

документация

12 шт

18800.00	/шт от 1 шт
17100.00	/шт от 2 шт

CM300DXP-24T#131G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт
Mitsubishi 2016852719

10 шт

15800.00	/шт от 1 шт
13800.00	/шт от 2 шт

CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия
Mitsubishi 198187200

документация

3 шт

20500.00	/шт от 1 шт
18700.00	/шт от 3 шт

CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия 400А 1700В
Mitsubishi 2011504556

документация

2 шт

13200.00	/шт от 1 шт
12600.00	/шт от 2 шт

CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия
Mitsubishi 498672444

документация

3 шт

9600.00	/шт от 1 шт
9080.00	/шт от 2 шт

CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
Mitsubishi 2011429287

документация

6 шт

9600.00	/шт от 1 шт
9120.00	/шт от 2 шт

CM450DX-24S, модуль 2 IGBT 450A 1200В серия NX6
Mitsubishi 262245552

документация

1 шт

12000.00	/шт от 1 шт
11400.00	/шт от 2 шт

CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа
Mitsubishi 2014949165
лучшая цена
документация

1 шт

9300.00	/шт от 1 шт
8470.00	/шт от 2 шт

CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия
Mitsubishi 919761094
лучшая цена
документация

2 шт

5200.00	/шт от 1 шт
4780.00	/шт от 2 шт

CM600DXP-34T#131G, IGBT модуль 600А 1700В
Mitsubishi 2016852720

10 шт

34900.00	/шт от 1 шт
30300.00	/шт от 2 шт

CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия
Mitsubishi 127777096
лучшая цена
документация

11 шт

2600.00	/шт от 1 шт
2000.00	/шт от 2 шт

CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В
Mitsubishi 2015776915

документация

2 шт

31400.00	/шт от 1 шт
29900.00	/шт от 2 шт

CM800DX-24T1, IGBT модуль 800А 1200В T1 серия NX типа
Mitsubishi 2012066984

документация

4 шт

21800.00	/шт от 1 шт
20700.00	/шт от 2 шт

CM900DUC-24S, IGBT модуль 900А 1200В
Mitsubishi 2015055251

документация

2 шт

30200.00	/шт от 1 шт
28800.00	/шт от 2 шт

CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Mitsubishi 616840113

документация

5 шт

6000.00	/шт от 1 шт
5680.00	/шт от 2 шт

CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В
Mitsubishi 741355632

документация

5 шт

4600.00	/шт от 1 шт
4290.00	/шт от 2 шт

DFI100HF12DE1, Модули IGBT , 100 A 1200 V 34mm Half Bridge
Leapers 2016019946

24 шт

3000.00	/шт от 1 шт
2800.00	/шт от 8 шт

DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2
Leapers 2015985437

документация

30 шт

3400.00	/шт от 1 шт
3150.00	/шт от 7 шт

DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge
Leapers 2016019945

документация

20 шт

7200.00	/шт от 1 шт
6940.00	/шт от 8 шт

DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge
Leapers 2016019947

документация

10 шт

3800.00	/шт от 1 шт
3490.00	/шт от 8 шт

DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
Leapers 2016021346

10 шт

6500.00	/шт от 1 шт
6040.00	/шт от 8 шт

DFI200HF12DF1, Mодули IGBT , 200 A 1200 V 62mm Half Bridge
Leapers 2016019963

30 шт

6500.00	/шт от 1 шт
5980.00	/шт от 7 шт

DFI200HF17DF1, Модули IGBT, 200 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
Leapers 2016021347

10 шт

7100.00	/шт от 1 шт
6420.00	/шт от 8 шт

DFI300HF12DF1, Модули IGBT, 300 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
Leapers 2016021344

20 шт

7500.00	/шт от 1 шт
6940.00	/шт от 8 шт

DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3
Leapers 2015912620

документация

30 шт

8100.00	/шт от 1 шт
7990.00	/шт от 6 шт

DFI300HF17DF1, IGBT модуль, 1700V/300A Half Bridge 62 mm
Leapers 2015928237

документация

30 шт

9000.00	/шт от 1 шт
8610.00	/шт от 6 шт

DFI300HF17I4RE1, IGBT модуль, 300 A 1200 V ED3 Half Bridge, альтернатива для CM300DX-34T, CM300DX-34
Leapers 2016021342

документация

20 шт

12000.00	/шт от 1 шт
10800.00	/шт от 6 шт

DFI450HF12DF1, Модули IGBT, 450 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
Leapers 2016021345

11 шт (в резерве 9)

9200.00	/шт от 1 шт
8740.00	/шт от 7 шт

DFI450HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 450A полумост ED3
Leapers 2015912621

документация

10 шт

10800.00	/шт от 1 шт
10600.00	/шт от 2 шт

DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 450А
Leapers 2015762118

20 шт

14000.00	/шт от 1 шт
12600.00	/шт от 6 шт

DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 450A полумост press-fit
Leapers 2015912618

документация

2 шт

13500.00	/шт от 1 шт
12900.00	/шт от 2 шт

DFI50PM12P4D1, IGBT модуль, 50 A 1200 V P4 Full Bridge
Leapers 2016019942

документация

20 шт

6000.00	/шт от 1 шт
5400.00	/шт от 8 шт

DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3
Leapers 2015912622

документация

10 шт

14800.00	/шт от 1 шт
13900.00	/шт от 6 шт

DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1
Leapers 2015762120

документация

70 шт

16400.00	/шт от 1 шт
15300.00	/шт от 5 шт

DFI600SU17DF1, Модули IGBT, 600 A, 1700 V 62mm, Single
Leapers 2016021348

18 шт

9000.00	/шт от 1 шт
8540.00	/шт от 8 шт

Купить Силовые IGBTи SiC модули в интернет-магазине

Интернет-магазин Платан предлагает Полупроводниковые модули и Силовые IGBTи SiC модули различных производителей по конкурентной цене. Для выбора компонента используйте поиск по параметрам, техническую документацию и описание. Доставка товара осуществляется различными транспортными компаниями или самовывозом из офисов в Москве и Санкт-Петербурге, предлагаем любые виды оплаты.

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1166

Купить Силовые IGBTи SiC модули в интернет-магазине

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₆₆