YJB100GP06H, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -60B, -100A, 178 Вт (TO-263) = IRF9Z
YJB110G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 110A, 260Вт (TO-263)
YJB118G08H, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 85B, 118A, 156Вт (TO-263)
YJB120G08A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80B, 100A, 208Вт (TO-263)
YJB180G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 180A, 357Вт (TO-263)
YJB200G06A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 200A, 260Вт (TO-263)
YJB200G06B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 200A, 260Вт (TO-263)
YJB30GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -30A, 125Вт (TO-263)
YJB70G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 70A, 125Вт (TO-263)
YJD110G08A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80B, 110A, 83Вт (TO-252)
YJD18GP10A5, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -18A, 72Вт (TO-252)
YJD28GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -28A, 96Вт (TO-252)
YJD45G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 45A, 72Вт (TO-252)
YJD45G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 45A, 72Вт (TO-252)
YJD50GP06A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -60B, -50A, 89Вт (TO-252)