Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы биполярные импортные 2774

Производитель  























































































Структура  







Uкбо максимальное ,В 























Uкэ максимальное ,В 



























Iток коллектора ,А 

























hfe коэффициент передачи  




































hfe при токе коллектора  


















Hfe при напряжении к-э, В  








fграничная частота ,МГц 

























Pк максимальная мощность ,Вт 





































Корпус  
Код: 518249497
SI7850DP-T1-E3
VISHAY

SI7850DP-T1-E3

под заказ
шт.
Код: 31066894
SI7850DP-T1-GE3, транзистор
Vishay

SI7850DP-T1-GE3, транзистор

под заказ
шт.
Код: 906311008
SI7852DP-T1-E3
VISHAY

SI7852DP-T1-E3

под заказ
шт.
Код: 2013059793
SI7898DP-T1-E3, N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.8A, SOIC, Transistor
Vishay

SI7898DP-T1-E3, N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.8A, SOIC, Transistor

под заказ
шт.
Код: 322875968
SI7900AEDN-T1-GE3
VISHAY

SI7900AEDN-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2015512068
Si7938DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N-канал, 40V 18.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Vishay

Si7938DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N-канал, 40V 18.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R

под заказ
шт.
Код: 2012930800
SI7997DP-T1-GE3, MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Vishay

SI7997DP-T1-GE3, MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

под заказ
шт.
Код: 2011206245
SI8483DB-T2-E1
VISHAY

SI8483DB-T2-E1

под заказ
шт.
Код: 509521470
SI8489EDB-T2-E1
VISHAY

SI8489EDB-T2-E1

под заказ
шт.
Код: 99212645
SI8812DB-T2-E1
VISHAY

SI8812DB-T2-E1

под заказ
шт.
Код: 173802911
SI9407AEY, транзистор SO8  60В, 0.120R
Vishay

SI9407AEY, транзистор SO8 60В, 0.120R

под заказ
шт.
Код: 2014455392
SI9407BDY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R
Vishay

SI9407BDY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC N T/R

под заказ
шт.
Код: 137485885
SI9410BDY, транзистор N-Ch MOSFET SO-8 30V 24mohm @ 10V
Vishay

SI9410BDY, транзистор N-Ch MOSFET SO-8 30V 24mohm @ 10V

под заказ
шт.
Код: 2014859729
SI9435BDY-E3, Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
Vishay

SI9435BDY-E3, Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

под заказ
шт.
Код: 2014859712
SI9435BDY-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
Vishay

SI9435BDY-T1-E3, Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

под заказ
шт.
Код: 742537757
SI9910DY, адаптив. драйв.MOSFET SO8
Vishay

SI9910DY, адаптив. драйв.MOSFET SO8

под заказ
шт.
Код: 2015006604
SI9926CDY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin
Vishay

SI9926CDY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin

под заказ
шт.
Код: 2014463705
SI9933CDY-T1-GE3
VISHAY

SI9933CDY-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2015006606
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay

SI9933CDY-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2014463706
SI9945BDY-T1-GE3
VISHAY

SI9945BDY-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 173451532
SI9987DY, buffered H-bridge   SOIC8
Vishay

SI9987DY, buffered H-bridge SOIC8

под заказ
шт.
Код: 2015060778
SIA421DJ-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
VISHAY

SIA421DJ-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

под заказ
шт.
Код: 2015466155
SIA437DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -29.7 А, -20 В, 0.012 Ом, -4.5 В, -400 мВ
Vishay

SIA437DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -29.7 А, -20 В, 0.012 Ом, -4.5 В, -400 мВ

под заказ
шт.
Код: 2015466156
SIA446DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, N канал, 150V .177ohm@10V 7.7A
Vishay

SIA446DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, N канал, 150V .177ohm@10V 7.7A

под заказ
шт.
Код: 610473615
SIA447DJ-T1-GE3
VISHAY

SIA447DJ-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2012623705
SIA456DJ-T1-GE3, транзистор 200 V 1.38Ом Mosfet - SC-70-6
Vishay

SIA456DJ-T1-GE3, транзистор 200 V 1.38Ом Mosfet - SC-70-6

под заказ
шт.
Код: 2015466157
SiA461DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.025 Ом, -4.5 В, -400 мВ
Vishay

SiA461DJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.025 Ом, -4.5 В, -400 мВ

под заказ
шт.
Код: 729675271
SIA467EDJ-T1-GE3
VISHAY

SIA467EDJ-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 421569812
SIA517DJ-T1-GE3
VISHAY

SIA517DJ-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 549377426
SIA936EDJ-T1-GE3
VISHAY

SIA936EDJ-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2015581963
SIA938DJT-T1-GE3
Vishay

SIA938DJT-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2015581979
SIC450ED-T1-GE3
Vishay

SIC450ED-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2015581980
SIC453ED-T1-GE3
Vishay

SIC453ED-T1-GE3

под заказ
шт.
Код: 2015512161
SiDR104ADP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 100 V (D-S), PowerPAK SO-8 double cooling, 6
Vishay

SiDR104ADP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 100 V (D-S), PowerPAK SO-8 double cooling, 6

под заказ
шт.
Код: 2015581874
SIDR104AEP-T1-RE3
Vishay

SIDR104AEP-T1-RE3

под заказ
шт.
Код: 2015512168
SIDR140DP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 25-V(D-S), PowerPAK SO8 double cooling, 0.67m
Vishay

SIDR140DP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 25-V(D-S), PowerPAK SO8 double cooling, 0.67m

под заказ
шт.
Код: 2015581913
SiDR170DP-T1-RE3
Vishay

SiDR170DP-T1-RE3

под заказ
шт.
Код: 2015512166
SIDR220DP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 25-V(D-S), PowerPAK SO8 double cooling, 0.58m
Vishay

SIDR220DP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 25-V(D-S), PowerPAK SO8 double cooling, 0.58m

под заказ
шт.
Код: 2015581866
SiDR220EP-T1-RE3
Vishay

SiDR220EP-T1-RE3

под заказ
шт.
Код: 2015512167
SIDR392DP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 30-V(D-S), PowerPAK SO8 double cooling, 0.62m
Vishay

SIDR392DP-T1-RE3, МОП-транзистор N-канал (MOSFET N-CH) 30-V(D-S), PowerPAK SO8 double cooling, 0.62m

под заказ
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!