Головной офис продаж
+7 (495) 97-000-99
info@platan.ru
Офис Электрозаводская
+7 (495) 744-70-70
platan@platan.ru
С-Петербургский офис
+7 (950) 023-74-80
+7 (921) 892-98-65
+7 (812) 232-88-36
baltika@platan.spb.ru
Интернет-магазин
+7 (495) 97-000-99
shop@platan.ru

IGBT 1200 В с повышенной плотностью мощности и КПД для приводов и UPS

ГЛАВНАЯ
08 июля 2013

Компания International Rectifier выпустила новое семейство 1200 В сверхбыстрых IGBT транзисторов, оптимизированных для промышленных приводов и UPS источников питания. Транзисторы разработы по field stop trench технологии со сверхтонким кристаллом и отличаются низкими потерями на проводимость и переключение. Также, приборы характеризуются наличием диода с мягким восстановлением и защитой на 10мкс от короткого замыкания, что требуется для эффективной работы промышленных двигателей. Новое семейство 1200 транзисторов имеют очень низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(on)) и низкие потери на переключение при высоком КПД и стабильной работе в условиях переходных процессов. Семейство включает приборы на номинальный ток от 10 до 50 А. Другие ключевые параметры – температура перехода 150°C, положительный температурный коэффициент для удобства параллельного подключения и низкое напряжение насыщения для уменьшения мощности рассеяния и повышения плотности мощности. Транзисторы выпускаются в корпусированной версии, а также доступны как кристаллы.

1200 В сверхбыстрые IGBT транзисторы

1200 В сверхбыстрые IGBT транзисторы

Технические характеристики

Корпусированные 1200 В IGBT

Наименование Корпус Напр-е кол.-эмиттер, В Ток коллектора, А Напр-е насыщения, В Защита от КЗ, мкс
IRG7PH30K10D TO-247AC 1200 10 2.0 10
IRG7PH30K10D-E TO247AD long lead 1200 10 2.0 10
IRG7PH37K10D TO-247AC 1200 15 1.9 10
IRG7PH37K10D-E TO247AD long lead 1200 15 1.9 10
IRG7PH44K10D TO-247AC 1200 25 1.9 10
IRG7PH44K10D-E TO247AD long lead 1200 25 1.9 10
IRG7PH50K10D TO-247AC 1200 40 1.9 10
IRG7PH50KD-E TO247AD long lead 1200 40 1.9 10
IRG7PSH54K10D Super TO-247 1200 50 1.9 10

Кристаллы 1200 В IGBT

Наименование Напр-е кол.-эмиттер, В Ток коллектора, А Напр-е насыщения, В Защита от КЗ, мкс
IRG7CH30K10B 1200 9 2.0 10
IRG7CH37K10B 1200 15 1.9 10
IRG7CH44K10B 1200 25 1.9 10
IRG7CH50K10B 1200 35 1.9 10
IRG7CH54K10B-R 1200 50 1.9 10
IRG7CH73K10B-R 1200 75 1.9 10
IRG7CH75K10B-R 1200 100 1.9 10
IRG7CH81K10B-R 1200 150 1.9 10

Дополнительная информация

Все новости от фирмы International Rectifier
Сайт производителя