Vishay: SiJ470DP 100 MOSFET с низким RDS(ON) в корпусе PowerPAK® SO-8L

17 марта 2014

Компания Vishay анонсировала новый N-канальный транзистор SiJ470DP, на напряжение 100 В в силовом корпусе PowerPAK SO-8L. Транзистор разработан по ThunderFET® технологии, имеет низкое сопротивление канала в открытом состоянии, 0.9 мОм при 10 В и малый заряд затвора.

Эти два параметра формируют показатель добротности и надежности полевых транзисторов (FOM), которые применяются в DC-DC преобразователях, 280 мОм-нКл. Этот ключевой параметр является минимальным для промышленных транзисторов 100В в корпусах PowerPAK SO-8L и эквивалентных им LFPAK корпусах.

Транзисторы SiJ470DP повышают плотность мощности в DC/DC преобразователях и схемах управления приводом. Они позволяют уменьшить потери мощности и улучшить параметры теплопередачи. Выводы корпуса «крыло чайки» обеспечивают защиту корпуса при термоперегрузках и увеличивают область паяного контакта.

Преимущества

• сравнение с ближайшими конкурентами в корпусе LFPAK:
   - на 24% ниже сопротивление канала, что позволяет снизить потери на проводимость
   - на 42% ниже заряд затвора, что позволяет снизить потери на переключение
• на 56% ниже показатель FOM
• изогнутые выводы «крыло чайки» повышают надежность и стойкость корпуса к термоперегрузкам
• хорошо подходят для монтажа на алюминиевые печатные платы

Применение

— ключи первичной цепи
— схемы синхронного выпрямления
— инвертеры солнечных батарей
— 3хфазные DC/AC инвертеры, управление электроприводом
— ORing схемы, ключи нагрузки

Сравнение ключевых параметров транзисторов SiJ470DP (желтый столбик) с их ближайшими конкурентами в корпусе LFPAK (черный столбик) на 100В.

Дополнительная информация

— Все новости от фирмы Vishay
— Сайт производителя