StrongIRFET транзисторы на 20-30 В с ультранизким сопротивлением Rds(on)
ГЛАВНАЯКомпания International Rectifier расширила линейку транзисторов StrongIRFET™ моделями на 20, 25 и 30 В, которые предназначены для высокоэффективных вычислительных систем и коммуникационного оборудования.
![StrongIRFET™](/images/news/news30.jpg)
StrongIRFET™
Семейство полевых транзисторов торговой марки StrongIRFET™ отличается сверхнизкими параметрами сопротивления канала в открытом состоянии. Например, новый транзистор IRL6283M на 20 В имеет сопротивление 500 мкОм и выпускается в корпусе DirectFET®, площадь которого занимает 30 кв.мм. Малые потери на проводимость делают их привлекательными для силовых схем ИЛИ (ORing) и электронных предохранителей (eFuse). Новые приборы можно подключать к шине 3.3, 5 или 12 В. Их потери на токе 20А на 15% ниже, чем у лучших транзисторов в корпусе PQFN с той же площадью 30 кв.мм. Поэтому использование новых транзисторов позволит разработчикам сократить число компонентов обвязки в схемах с высоким протекающим током.
Также, семейство транзисторов StrongIRFET™ включает модели в PQFN корпусах со стандартным посадочным местом.
Как и другие транзисторы в корпусе DirectFET®, новые приборы имеют двухстороннее охлаждение для лучшей теплопроводности и конструкцию без применения проволочных перемычек, что значительно повышает их надежность. Кроме того, корпуса DirectFET® полностью соответствуют директиве RoHS.
Технические характеристики
Наим-е | Напр-е | Макс. напр-е затвор-исток | Корпус | Ток | Сопр-е RDS(on) (тип./макс.) |
||
(В) | (В) | (A) | при 10В | при 4.5В | при 2.5В | ||
IRL6283M | 20 | 12 | DirectFET® MD | 211 | .50/.75 | .65/.87 | 1.1/1.5 |
IRFH8201 | 25 | 20 | PQFN 5x6B | 100 | .80/.95 | 1.20/1.60 | - |
IRFH8202 | .90/1.05 | 1.40/1.85 | |||||
IRFH8303 | 30 | .90/1.10 | 1.30/1.70 | ||||
IRFH8307 | 1.1/1.3 | 1.7/2.1 | |||||
IRF8301M | DirectFET® MT | 192 | 1.3/1.5 | 1.9/2.4 |
Дополнительная информация
— Все новости от фирмы International Rectifier
— Сайт производителя