StrongIRFET транзисторы на 20-30 В с ультранизким сопротивлением Rds(on)

01 апреля 2013

Компания International Rectifier расширила линейку транзисторов StrongIRFET™ моделями на 20, 25 и 30 В, которые предназначены для высокоэффективных вычислительных систем и коммуникационного оборудования.

Семейство полевых транзисторов торговой марки StrongIRFET™ отличается сверхнизкими параметрами сопротивления канала в открытом состоянии. Например, новый транзистор IRL6283M на 20 В имеет сопротивление 500 мкОм и выпускается в корпусе DirectFET®, площадь которого занимает 30 кв.мм. Малые потери на проводимость делают их привлекательными для силовых схем ИЛИ (ORing) и электронных предохранителей (eFuse). Новые приборы можно подключать к шине 3.3, 5 или 12 В. Их потери на токе 20А на 15% ниже, чем у лучших транзисторов в корпусе PQFN с той же площадью 30 кв.мм. Поэтому использование новых транзисторов позволит разработчикам сократить число компонентов обвязки в схемах с высоким протекающим током.

Также, семейство транзисторов StrongIRFET™ включает модели в PQFN корпусах со стандартным посадочным местом.

Как и другие транзисторы в корпусе DirectFET®, новые приборы имеют двухстороннее охлаждение для лучшей теплопроводности и конструкцию без применения проволочных перемычек, что значительно повышает их надежность. Кроме того, корпуса DirectFET® полностью соответствуют директиве RoHS.

Технические характеристики

Наим-е	Напр-е	Макс. напр-е затвор-исток	Корпус	Ток	Сопр-е RDS(on) (тип./макс.)
	(В)	(В)		(A)	при 10В	при 4.5В	при 2.5В
IRL6283M	20	12	DirectFET® MD	211	.50/.75	.65/.87	1.1/1.5
IRFH8201	25	20	PQFN 5x6B	100	.80/.95	1.20/1.60	-
IRFH8202					.90/1.05	1.40/1.85
IRFH8303	30				.90/1.10	1.30/1.70
IRFH8307					1.1/1.3	1.7/2.1
IRF8301M			DirectFET® MT	192	1.3/1.5	1.9/2.4

 

Дополнительная информация

— Все новости от фирмы International Rectifier
— Сайт производителя