DFE252012P-1R0M=P2, индуктивность 1мкГн 20% 1008 (2520)
LQG11A2N7S00D, Индуктивность 2,7нГн 0603
LQG15HS2N2S02D, SMD индуктивность 0402 2.2 нГн 900мА
LQG15HS3N3S02D, SMD индуктивность 0402 3.3 нГн
LQG15HS5N6S02D, SMD индуктивность 5.6 нГн +0.3 нГн 100МГц 300мА 200мОм 0402
LQG18HN4N3S00D, Индуктивность 4,7нГн 0,3нГн 0603
LQH32CN2R2M33L, SMD индуктивность 1210 2.2 мкГн 20% 1МГц 790мА 126.1мОм
LQH32CNR27M33L, Индуктивность SMD 0.27 мкГн, 1210, 20%
LQH32CNR47M33L, SMD индуктивность 0.47 мкГн 20% 1210
LQH32MN220K23L, SMD индуктивность 22 мкГн 10%1210
LQH32PN3R3NN0L, 1210, 3,3uH 1.2A
LQH3NPN100MJRL, Дроссели
LQH3NPN4R7MJRL индуктивность
LQH43CN150K03L, SMD индуктивность 15 мкГн 10%1812
LQH43MN152K03L, SMD индуктивность 1500 мкГн 10%1812
LQH43MN470K03L, SMD индуктивность 47 мкГн 10% 1812
LQM21NN1R0K10D, SMD индуктивность 1 мкГн 10% 0805
LQM21NN3R3K10L, SMD индуктивность 3.3 мкГн 10% 0805
LQM21NN4R7K, SMD индуктивность 4.7 мкГн 10% 0805
LQM2HPN2R2MG0L, SMD индуктивность 2.2 мкГн 20% 1008
LQN21A5N6D44, Индуктивность 5,6нГн 0805
LQW15AN39NG00D, 0402, 39nH 250mA
LQW1608A4N3C00, Индуктивность 4,3нГн 0603
LQW18ASR10J00D
LQW2BAS22NJ00L, SMD индуктивность
LQW2BAS5N6J00, Дроссель 0805 (2.0x1.5mm) 5N6 (5.6 нГн) +/-5%
LQW2BAS5N6J00L, Дроссель 0805 (2.0x1.5mm) 5N6 (5.6 нГн) +/-5%
LQW2BHNR15G03L, SMD индуктивность 0.15 мкГн 2% 0805
LQW2BHNR15J03L, SMD индуктивность 0.15 мкГн 5% 0805
LQW2BHNR27K03 270нГн 5% 0805, Индуктивность 270нГн 5% 0805
LQW2BHNR47K03L, SMD индуктивность 0.47 мкГн 10% 0805
LQW2UAS22NJ00L, Индуктивность 22нГн 5% 0805
Товар добавлен в корзину!