транзисторы биполярные импортные ₂

Показать списком

Сбросить все фильтры

Сортировка по цене:

Код: 2015700362

GOFORD

G16P03S, Биполярный транзистор 30В 16А 12мОм SOP-8

35994 шт

26.00	/шт от 1 шт
18.20	/шт от 30 шт

Код: 2015775097

GOFORD

18N20J, Биполярный транзистор N-канал 200В 18A TO-251

под заказ

220.00	/шт от 1 шт
206.00	/шт от 2 шт

DPAK
DPAK/TO-252AA
MT-200
SC-74-6
SOD-23
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT32
SOT323
SOT343
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-18 (TO-206AA)
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220C
TO-220F
TO-220FA
TO-220FP
TO-247
TO-251
TO-252
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TO126
TO220
TO92
TSSOP-6

Производитель
----- AMPLEON BLUE ROCKET BROADCOM/AVAGO CDIL CENTRAL CJ DC COMPONENTS DI DIODES INC DIODES INC. DIODESZETEX DIOTEC FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXINSEMI GALAXY GOFORD HITACHI HOTTECH HXY ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON ISC ISCSEMI IXYS JCET JSCJ JSMICRO KEC KINGTRONICS LGE LRC MATSUSHITA MCC MITSUBISHI MOSPEC MOTOROLA N A NEC NEX-NXP NTE ELECTRONICS NXP SEMICONDUCT ONS PHI PHILIPS REASUNOS ROHM SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SMARTMODULE SPTECH STM TI TOPDIODE MANUFA TOPDIODES TOSHIBA TRR UMW UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YFW YJ ZH ИНТЕГРАЛ КИТАЙ КРЕМНИЙ РОССИЯ ТАЙВАНЬ
Структура
NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
12 15 20 25 30 32 40 45 50 60 75 80 100 125 140 160 180 230 250 300 400 450 1500
U_{кэ максимальное},В
10 12 15 20 25 30 32 40 45 50 60 65 80 100 120 125 150 160 180 200 230 250 300 350 400 450 600 700 1500
I_{ток коллектора},А
0.025 0.035 0.05 0.08 0.1 0.12 0.15 0.2 0.225 0.3 0.5 0.6 0.7 0.8 1 1.5 2 3 3.5 4 5 6 7 8 10 15
h_{fe коэффициент передачи}
5 5.5 8 10 16 20 25 30 40 50 53 55 60 70 90 100 110 120 125 140 160 180 200 220 230 250 290 420 475 500 520 750 1000 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.025 0.03 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 8 10 20
f_{граничная частота},МГц
1 3 9 10 15 25 30 40 50 60 80 85 100 125 145 150 170 175 180 200 210 250 300 400 1400 3000 8000 9000 25000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.15 0.16 0.2 0.225 0.246 0.25 0.28 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.58 0.6 0.625 0.65 0.75 0.83 1 1.5 1.75 2 3 5 12.5 20 36 40 45 50 60 65 70 80 125 150
Корпус

type_26
NPN транзистор с диодом%%%transistor-pnp-with-diod NPN транзистор%%%transistor-npn PNP транзистор%%%transistor-pnp Дарлингтон%%%darlington

транзисторы биполярные импортные 2

транзисторы биполярные импортные ₂