Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы биполярные 109

Сбросить все фильтры

Производитель  















































































































Структура  









Uкэ максимальное ,В 










































Iток коллектора ,А 












































hfe коэффициент передачи  





















































Корпус  
Все параметры
Код: 2017141756
FDS9431A, FDS9431A HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл,SOP-8
HXY

FDS9431A, FDS9431A HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл,SOP-8

2900 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140860
FDS9435A, FDS9435A HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8
HXY

FDS9435A, FDS9435A HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8

13300 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140847
HXY20N03D, HXY20N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 20 А, 25 мОм, 4.9 нКл, TO-252 (
HXY

HXY20N03D, HXY20N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 20 А, 25 мОм, 4.9 нКл, TO-252 (

4797 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140859
HXY20P03D, HXY20P03D HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -20 А, 42 мОм, 12.5 нКл, TO- 2
HXY

HXY20P03D, HXY20P03D HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -20 А, 42 мОм, 12.5 нКл, TO- 2

4800 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140015
HXY5N50D, HXY5N50D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 5 А, 1.8 Ом, 13 нКл, TO-252 (DPA
HXY

HXY5N50D, HXY5N50D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 5 А, 1.8 Ом, 13 нКл, TO-252 (DPA

2150 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140846
HXY60N02D, HXY60N02D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 60 А, 6 мОм, 27 нКл, TO-252 (DP
HXY

HXY60N02D, HXY60N02D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 60 А, 6 мОм, 27 нКл, TO-252 (DP

4898 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140851
HXY60N03D, HXY60N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 60 А, 9 мОм, 17.6 нКл, TO-252 (
HXY

HXY60N03D, HXY60N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 60 А, 9 мОм, 17.6 нКл, TO-252 (

4898 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140017
HXY7N65D, HXY7N65D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.4 Ом, 24 нКл, TO-252 (DPA
HXY

HXY7N65D, HXY7N65D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.4 Ом, 24 нКл, TO-252 (DPA

1850 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140858
HXY80N03D, HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252
HXY

HXY80N03D, HXY80N03D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, TO-252

7200 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140019
HXY80N06D, HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DP
HXY

HXY80N06D, HXY80N06D HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8 мОм, 33 нКл, TO-252 (DP

1975 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140383
IPD068P03, IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-
HXY

IPD068P03, IPD068P03L3G HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -80 А, 8.8 мОм, 45 нКл, TO-

2450 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140856
IRF1407, IRF1407PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 120 В, 120 А, 7.5 мОм, TO-220
HXY

IRF1407, IRF1407PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 120 В, 120 А, 7.5 мОм, TO-220

1950 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140853
IRF540Z, IRF540ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 70 А, 10.5 мОм, TO-220
HXY

IRF540Z, IRF540ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 70 А, 10.5 мОм, TO-220

477 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140382
IRF7104, IRF7104TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2P-канал, -20 В, -4 А, 95 мОм, 10.6 нКл, SOP-
HXY

IRF7104, IRF7104TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2P-канал, -20 В, -4 А, 95 мОм, 10.6 нКл, SOP-

2075 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140503
IRF7205, IRF7205PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8
HXY

IRF7205, IRF7205PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8

2750 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140372
IRF7319, IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл,SO
HXY

IRF7319, IRF7319 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 30 В / -30 В, 6 А / -5.5 А, 40 мОм, 5.2 нКл,SO

8350 шт 10 июля
шт.
Код: 2017150147
IRF7404, IRF7404PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, 35 нКл, SOP-8
HXY

IRF7404, IRF7404PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, 35 нКл, SOP-8

2225 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140877
IRF7406, IRF7406 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9 А, 20 мОм, SOP-8
HXY

IRF7406, IRF7406 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9 А, 20 мОм, SOP-8

3000 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140375
IRF7413, IRF7413TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF7413, IRF7413TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

5775 шт 10 июля
шт.
Код: 2017139009
IRF7416T, IRF7416 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -9.5 А, 18 мОм, SOP-8
HXY

IRF7416T, IRF7416 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -9.5 А, 18 мОм, SOP-8

9650 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140379
IRF7420, IRF7420TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, SOP-8
HXY

IRF7420, IRF7420TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, SOP-8

2600 шт 10 июля
шт.
Код: 2017150146
IRF7455, IRF7455TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 6.5 мОм, 12.6 нКл, SOP-8
HXY

IRF7455, IRF7455TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 6.5 мОм, 12.6 нКл, SOP-8

3163 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140380
IRF7805Z, IRF7805ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF7805Z, IRF7805ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

2925 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140377
IRF7807Z, IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF7807Z, IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

860 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140021
IRF8707, IRF8707TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 13 А, 13 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF8707, IRF8707TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 13 А, 13 мОм, 6 нКл, SOP-8

2925 шт 10 июля
шт.
Код: 2017141757
IRF9335, IRF9335 HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл,SOP-8
HXY

IRF9335, IRF9335 HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл,SOP-8

5900 шт 10 июля
шт.
Код: 2017141842
IRF9358, IRF9358 HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), P+P канал, -30 В, -11 А, 18 мОм, 22 нКл,S
HXY

IRF9358, IRF9358 HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), P+P канал, -30 В, -11 А, 18 мОм, 22 нКл,S

2660 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140376
IRF9956, IRF9956TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF9956, IRF9956TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

2900 шт 10 июля
шт.
Код: 2017139767
IRFB4115, IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220
HXY

IRFB4115, IRFB4115 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 120 А, 11.5 мОм, 45 нКл, TO-220

900 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140384
IRFB4410Z, IRFB4410ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 70 А, 10.5 мОм, 31.3 нКл, T
HXY

IRFB4410Z, IRFB4410ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 70 А, 10.5 мОм, 31.3 нКл, T

610 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140366
IRFML8244, IRFML8244TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 28 мОм, 5 нКл, SOT-
HXY

IRFML8244, IRFML8244TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 28 мОм, 5 нКл, SOT-

14000 шт 10 июля
шт.
Код: 2017139392
IRFP450, IRFP450 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 14 А, TO-247AC
HXY

IRFP450, IRFP450 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 500 В, 14 А, TO-247AC

510 шт 10 июля
шт.
Код: 2017139390
IRFR024, IRFR024NTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, TO-252 (DPAK)
HXY

IRFR024, IRFR024NTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, TO-252 (DPAK)

3500 шт 10 июля
шт.
Код: 2017141845
IRFR1018E
HXY

IRFR1018E

2475 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140022
IRFR1205, IRFR1205TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, 26 мОм, 12.6 нКл, TO-2
HXY

IRFR1205, IRFR1205TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, 26 мОм, 12.6 нКл, TO-2

3825 шт 10 июля
шт.
Код: 2017150150
IRFR3410, IRFR3410TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 30 А, 48 мОм, 20 нКл, TO-25
HXY

IRFR3410, IRFR3410TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 30 А, 48 мОм, 20 нКл, TO-25

2290 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140381
IRFR3709Z, IRFR3709ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, T
HXY

IRFR3709Z, IRFR3709ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 80 А, 6.8 мОм, 11.1 нКл, T

2225 шт 10 июля
шт.
Код: 2017150149
IRFR3910, IRFR3910TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 20 А, 87 мОм, 26.2 нКл, TO-
HXY

IRFR3910, IRFR3910TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 20 А, 87 мОм, 26.2 нКл, TO-

2350 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140020
IRFR5305, IRFR5305TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -20 А, 72 мОм, 48 нКл, TO-2
HXY

IRFR5305, IRFR5305TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -20 А, 72 мОм, 48 нКл, TO-2

4900 шт 10 июля
шт.
Код: 2017140378
IRFR5505, IRFR5505TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -15 А, 82 мОм, 9.86 нКл, TO
HXY

IRFR5505, IRFR5505TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -15 А, 82 мОм, 9.86 нКл, TO

5630 шт 10 июля
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!