транзисторы биполярные Производитель: HXY HXY

Код: 2017140016

IRFR9024, IRFR9024NTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -10 А, 140 Ом, 12.1 нКл, T

9300 шт 10 июля

21.00	/шт от 20 шт

Код: 2017139766

HXY

IRFZ44NS, IRFZ44NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 49 А, 13 мОм, 63 нКл, TO-263(D2PA

2150 шт 10 июля

35.30	/шт от 50 шт

Код: 2017139773

HXY

IRLML0030, IRLML0030 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 55 мОм, 10 нКл, SOT-23

30000 шт 10 июля

1.72	/шт от 500 шт

Код: 2017139761

HXY

IRLML0100, IRLML0100TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 3 А, 248 мОм, SOT-23

24300 шт 10 июля

3.02	/шт от 100 шт

Код: 2017140369

HXY

IRLML2030, IRLML2030TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, 55 мОм, 10 нКл, SOT

4800 шт 10 июля

10.10	/шт от 100 шт

Код: 2017140365

HXY

IRLML2246, IRLML2244TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -5 А, 45 мОм, 10.2 нКл, S

12000 шт 10 июля

6.33	/шт от 200 шт

Код: 2017139384

HXY

IRLML5203, IRLML5203TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -4.2 А, SOT-23

5799 шт 10 июля

3.75	/шт от 100 шт

Код: 2017139010

HXY

IRLML6244, IRLML6244 HXY полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 6 А, 22 мОм, SOT-23

22000 шт 10 июля

5.45	/шт от 200 шт

Код: 2017140367

HXY

IRLML6246, IRLML6246TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 6 А, 27 мОм, 10 нКл, SOT-23

12000 шт 10 июля

6.69	/шт от 200 шт

Код: 2017139011

HXY

IRLML6344, IRLML6344 HXY полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 30 В, 5.8 А, 28 мОм, SOT-23

30400 шт 10 июля

3.27	/шт от 200 шт

Код: 2017140368

HXY

IRLML6346, IRLML6346TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 30 В, 5 А, 42 мОм, 4.6 нКл, SOT-2

6000 шт 10 июля

9.60	/шт от 100 шт

Код: 2017140850

HXY

IRLML9301, IRLML9301TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -4.1 А, 56 мОм, SOT-23

29200 шт 10 июля

6.98	/шт от 200 шт

Код: 2017140849

HXY

IRLML9303, IRLML9303TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -4.1 А, 56 мОм, SOT-23

30000 шт 10 июля

6.98	/шт от 200 шт

Код: 2017150148

HXY

IRLR3103, IRLR3103TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 20 А, 25 мОм, 4.9 нКл, TO-25

2325 шт 10 июля

34.90	/шт от 10 шт

Код: 2017150138

HXY

IRLR3410, IRLR3410TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 15 А, 112 мОм, 26.2 нКл, TO

900 шт 10 июля

31.80	/шт от 20 шт

Код: 2017140842

HXY

IRLR3636, IRLR3636ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3 мОм, 45 нКл, TO-252

2418 шт 10 июля

56.60	/шт от 18 шт

Код: 2017140855

HXY

IRLR3705Z, IRLR3705ZPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 80 А, 8.3, 45 нКл, TO-252(DP

2490 шт 10 июля

82.40	/шт от 10 шт

Код: 2017140385

HXY

IRLR7843, IRLR7843TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 120 А, 3.8 мОм, 20.6 нКл, TO

2228 шт 10 июля

76.30	/шт от 2 шт

Код: 2017140014

HXY

IRLR8726, IRLR8726TRLPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 100 А, 5.5 мОм, 20 нКл, TO-

1960 шт 10 июля

18.10	/шт от 40 шт

Код: 2017141843

HXY

IRLZ44N

1450 шт 10 июля

35.90	/шт от 50 шт

Код: 2017140362

HXY

MMBTH10, MMBTH10, биполярный транзистор HXY NPN, 25 В, 0.05 А, корпус SOT-23

10600 шт 10 июля

1.70	/шт от 100 шт

Код: 2017139764

HXY

SI2300, SI2300 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6 А, 27 мОм, SOT-23

24600 шт 10 июля

1.84	/шт от 600 шт

Код: 2017140875

HXY

Si2304DDS, Si2304DDS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23

12000 шт 10 июля

6.33	/шт от 200 шт

Код: 2017139774

HXY

SI2308A, SI2308A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 2.5 А, 85 Ом, 2.1 нКл, SOT-23

4000 шт 10 июля

2.47	/шт от 500 шт

Код: 2017139765

HXY

SI2309A, SI2309A HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -1.6 А, 160 Ом, 11.3 нКл, SOT-23

10800 шт 10 июля

4.13	/шт от 300 шт

Код: 2017139763

HXY

SI2319, SI2319 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -40 В, -5 А, 85 Ом, 14 нКл, SOT-23

19000 шт 10 июля

3.91	/шт от 250 шт

Код: 2017139768

HXY

SI2323, SI2323 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -5 А, 45 Ом, 10.2 нКл, SOT-23

4500 шт 10 июля

3.69	/шт от 300 шт

Код: 2017139770

HXY

SI2333, SI2333 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -6.5 А, 28 Ом, 7.8 нКл, SOT-23

9000 шт 10 июля

4.65	/шт от 300 шт

Код: 2017141758

HXY

STD35NF06

2499 шт 10 июля

28.70	/шт от 49 шт

DPAK
DPAK/TO-252AA
KT-1-12
KT-1-7 (TO-18)
KT-119
KT-13
KT-14
KT-15
KT-16-2
KT-17
KT-18
KT-2-7
KT-2-7(TO-39)
KT-20
KT-26
KT-27
KT-27-2
KT-272
KT-28
KT-28-2
KT-282
KT-29
KT-30
KT-32
KT-37
KT-431
KT-432
KT-44
KT-45
KT-46
KT-47
KT-52
KT-56
KT-57
KT-8
KT-9
MT-200
SC-74-6
SOD-23
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220F
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TO126
TO218
TO220
TO92
TSSOP-6
КТ-1-7 (TO-18)
КТ-1-9 (TO-18)
КТ-2 (TO-39)
КТ-2-7 (TO-39)
КТ-26 (ТО-92)
КТ-27 (TO-126)
КТ-27 (ТО-126)
КТ-28-2 (TO-220)
КТ-4-2 (TO-60)
КТ-432
КТ-44
КТ-46 (SOT-23)
КТ-56
КТ-89 (TO-252)
КТ-91 (ТО-251)
КТ13
КТЮ-3-1
КТЮ-3-20
КТЮ-3-6
КТЮ-3-9
КТЮ-43-1
ТО-126

Производитель
----- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT AM AMPLEON AVAGO/BROADCOM AVC BLUE ROCKET CDIL CJ CN BELL CTK DC COMPONENTS DI DIODES INC. DIODES ZETEX DIOTEC ELECSUPER FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FREESCALE SEMICONDUCTOR FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXIN FUXINSEMI GALAXY GOFORD HANSCHIP HITACHI HOTTECH HXY ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES ISC ISCSEMI IXYS JCET JIANGSU CHANGJIANG E JINGDAO JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEC KLS KUU LGE LRC LUGUANG MCC MITSUBISHI MIXIC MOTOROLA MSKSEMI MULTCMP NEC NEX-NXP NXP SEMICONDUCT OLITECH ONS PHI PHILIPS REASUNOS RENESAS ROHM SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SLKOR SPTECH STM SUNTAN TECH PUB TI TOPDIODE MANUFACTURING CO TOPDIODES TOSHIBA TRR UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ YONGYUTAI YOUTAI ZH АЛЬФА ВЗПП ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП ГАММА ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ ИСКРА КИТАЙ КРЕМНИЙ НИИПП ТОМСК НПП УРЛЗ ПЛАНЕТА ПУЛЬСАР РОССИЯ СВЕТЛАНА ТАЙВАНЬ ТОМСК ТРАНЗИСТОР УРЛЗ ФЗМТ ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 180 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
h_{fe коэффициент передачи}
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 1.75 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус

type_26
NPN транзистор с диодом%%%transistor-pnp-with-diod NPN транзистор%%%transistor-npn PNP транзистор%%%transistor-pnp Дарлингтон%%%darlington

транзисторы биполярные 109

транзисторы биполярные ₁₀₉