транзисторы биполярные импортные Производитель: CJ CJ

Код: 2014927251

2SD965A, Биполярный транзистор NPN 40В 5А 0.75Вт SOT-89

696 шт

27.00	/шт от 1 шт
23.40	/шт от 50 шт

Код: 2010076881

MMBT5401, Биполярный транзистор 150В 0.5А SOT-23-3

13966 шт

10.00	/шт от 1 шт
6.41	/шт от 150 шт

Код: 2015960697

MPSA56, Биполярный транзистор PNP 80В 500мА TO-92

322 шт

22.00	/шт от 1 шт
18.10	/шт от 20 шт

Код: 2015587282

SS8050, Биполярный транзистор NPN 25В 1.5А SOT-23

4349 шт

5.00	/шт от 1 шт
2.80	/шт от 100 шт

Код: 2015810418

SS8550, Биполярный транзистор SOT23

8841 шт

5.00	/шт от 1 шт
3.14	/шт от 100 шт

Код: 230933562

2SD1761, Биполярный транзистор TO220F

под заказ

22.00	/шт от 1 шт
15.70	/шт от 20 шт

Код: 130462644

BC546B, Биполярный транзистор NPN 65В 0.1А 0.63Вт TO92

под заказ

6.00	/шт от 1 шт
3.50	/шт от 100 шт

Код: 5950

BC547B, биполярный транзистор NPN

под заказ

27.00	/шт от 1 шт
13.30	/шт от 200 шт

Код: 189331050

BC548C, Биполярный транзистор NPN 30В 100мА TO-92

под заказ

10.00	/шт от 1 шт
4.71	/шт от 100 шт

Код: 2015941721

SS8550, Биполярный транзистор SOT323

под заказ

9.00	/шт от 1 шт
5.74	/шт от 100 шт

DPAK/TO-252AA
MT-200
SC-74-6
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-18 (TO-206AA)
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220C
TO-220F
TO-220FA
TO-220FP
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TSSOP-6

Производитель
----- AMPLEON BLUE ROCKET BROADCOM/AVAGO CDIL CENTRAL CJ DC COMPONENTS DI DIODES INC DIODES INC. DIODESZETEX DIOTEC FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH GALAXY GOFORD HITACHI HOTTECH HUAAOE ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON ISC ISCSEMI IXYS JCET JILIN SINO JSCJ JSMICRO KEC KINGTRONICS KUU LGE LRC MATSUSHITA MCC MDD MOSPEC MOTOROLA NEC NEX-NXP NTE ELECTRONICS NXP SEMICONDUCT ONS PHI PHILIPS REASUNOS ROHM SANKEN SANYO SCHN SEMTECH SHIKUES SMARTMODULE SPTECH STM TI TOPDIODE MANUFA TOPDIODES TOSHIBA UMW UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ ZH ZTX ИНТЕГРАЛ КИТАЙ КРЕМНИЙ РОССИЯ ТАЙВАНЬ
Структура
NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон PNP с резист.сборкой
U_{кбо максимальное},В
12 20 25 30 32 40 45 50 60 80 100 125 140 160 180 230 250 300 400 450 500 1500
U_{кэ максимальное},В
12 20 25 30 32 40 45 50 60 65 80 100 120 125 150 160 180 230 250 300 350 400 450 600 700 1500
I_{ток коллектора},А
0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.225 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 1 1.5 2 3 3.5 4 5 6 7 8 10 15
h_{fe коэффициент передачи}
5 5.5 8 10 16 20 25 30 40 50 53 55 60 70 100 110 120 125 140 160 180 200 220 230 250 290 420 475 500 520 750 1000 1500 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 4.5
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
1 3 6 9 15 20 30 40 50 60 80 85 100 125 145 150 170 175 180 200 210 250 300 400 9000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.75 0.8 0.83 1 1.5 1.75 2 3 12.5 15 20 35 36 40 45 50 60 65 70 80 125 150
Корпус

транзисторы биполярные импортные 10

транзисторы биполярные импортные ₁₀