CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия

F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Технические характеристики

Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	250
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	450
Структура модуля	одиночный транзистор
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	20
Входная емкость затвора,нФ	132
Драйвер управления	VLA503
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	735
Максимальный ток эмиттера, А	900
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	4
Напряжение эмиттер-коллектор,В	1.85
Напряжение изоляции, В	2500
Вес:	353 гр.
Показать похожие

CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия (печатный каталог ПЛАТАН)

CM450HA-5F (datasheet)

Силовые модули Mitsubishi

Сайт производителя: Mitsubishi