Силовые IGBTи SiC модули

CM800HC-66H, модуль 1 IGBT 3300В 800A
Mitsubishi 874538408

под заказ

104000.00	/шт от 1 шт
86300.00	/шт от 2 шт

CM900HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 900A
Mitsubishi 332857680

под заказ

183000.00	/шт от 1 шт
159000.00	/шт от 2 шт

CM900HG-90H, модуль 1 IGBT 4500В 900A
Mitsubishi 999114964

под заказ

202000.00	/шт от 1 шт
179000.00	/шт от 2 шт

CMH100DY-24NFH, IGBT модуль
Mitsubishi 2015054652

под заказ

23100.00	/шт от 1 шт
20100.00	/шт от 2 шт

CMH150DY-24NFH, IGBT модуль
Mitsubishi 2015054671

под заказ

21400.00	/шт от 1 шт
18600.00	/шт от 2 шт

CMH200DU-24NFH, IGBT модуль
Mitsubishi 2015054672

под заказ

21400.00	/шт от 1 шт
18600.00	/шт от 2 шт

CP15TD1-24A, IGBT модуль 15A 1200В
Mitsubishi 227698599

под заказ

6000.00	/шт от 1 шт
5570.00	/шт от 3 шт

CPV362M4K, IGBT модуль 600В 5.7А 8 60кГц IMS2
Vishay 35847

под заказ

2200.00	/шт от 1 шт
2050.00	/шт от 2 шт

CPV363M4F, модуль 6 IGBT 600В 16А 5кГц
Vishay 55557

под заказ

4700.00	/шт от 1 шт
4220.00	/шт от 2 шт

CPV363M4U, модуль 6 IGBT 600В 13А 20кГц
Vishay 42684

под заказ

4100.00	/шт от 1 шт
3490.00	/шт от 2 шт

CT600CJ1B120, IGBT модуль
Mitsubishi 2012022261

под заказ

401000.00	/шт от 1 шт
301000.00	/шт от 2 шт

DF300R12KE3
Infineon 2016020257

под заказ

11400.00	/шт от 1 шт
11000.00	/шт от 1 шт

DF400R12KE3
Infineon 2016020258

под заказ

15300.00	/шт от 1 шт
14700.00	/шт от 1 шт

DFH50CU12F0H1, SiC/Si гибридный модуль 1200В 75A Dual Boost F0
Leapers 2015912617

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFI450HF12I4ME2, IGBT модуль 1200В 450A полумост ED3
Leapers 2015912623

документация

под заказ

2300.00	/шт от 1 шт
1970.00	/шт от 10 шт

DFI600HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 600A полумост press-fit
Leapers 2015912619

документация

под заказ

20400.00	/шт от 1 шт
19000.00	/шт от 4 шт

DFS02FB12HDW1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
Leapers 2015912574

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS03FB12HDB1, SiC модуль 1200В 600A 3-фазный HPD SIC
Leapers 2015912577

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS03FB12HDW1, SiC модуль 1200В 600A 3-фазный HPD SIC
Leapers 2015912576

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS04FB12HDB1, SiC модуль 1200В 400A 3-фазный HPD SIC
Leapers 2015912579

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS04FB12HDW1, SiC модуль 1200В 400A 3-фазный HPD SIC
Leapers 2015912578

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS06HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2
Leapers 2015912581

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS09CU12EYQ1, SiC модуль 1200В 150A Boost E0
Leapers 2015912616

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS09HF12EYC1, SiC модуль 1200В 100A полумост E0
Leapers 2015912609

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS09HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0
Leapers 2015912610

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS10HF12EZC1, SiC модуль 1200В 160A полумост E2
Leapers 2015912580

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS10HH12EZC1, SiC модуль 1200В 160A H-Bridge E2
Leapers 2015912584

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS12HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 100A полумост E0
Leapers 2015912608

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS200X2CU12I3B2, SiC модуль 1200В 200A Dual Boost ED3S
Leapers 2015912597

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS200X2CU12I3B3, SiC модуль 1200В 200A Dual Boost ED3S
Leapers 2015912598

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS20HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 95A полумост E0
Leapers 2015912607

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS20HH12EZQ1, SiC модуль 1200В 100A H-Bridge E2
Leapers 2015912583

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS26HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 77A полумост E0
Leapers 2015912606

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS300CU12I3C1, SiC модуль 1200В 300A Boost ED3S
Leapers 2015912601

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS300HF12I3C2, SiC модуль 1200В 300A полумост ED3S
Leapers 2015912593

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS300HF17DFC1, Half Bridge SiC MOSFET Power Module .
Leapers 2016019526

под заказ

82900.00	/шт от 1 шт
81600.00	/шт от 2 шт

DFS300X2CU12I3B2, SiC модуль 1200В 300A Dual Boost ED3S
Leapers 2015912599

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS300X2CU12I3B3, SiC модуль 1200В 300A Dual Boost ED3S
Leapers 2015912600

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS400CU12I3C1, SiC модуль 1200В 400A Boost ED3S
Leapers 2015912602

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

DFS400HF12I3C2, SiC модуль 1200В 400A полумост ED3S
Leapers 2015912594

документация

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1151

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₅₁