BLM18AG601SN1, SMD индуктивность
BLM18PG221SN1, SMD индуктивность
CDRH104NP-220MC, SMD индуктивность 22 мкГн 20% 1.65А
CDRH104RNP-680NC
CDRH127/LDNP-101MC
CDRH127/LDNP-330MC, индуктивность SMD 12.3*12.3*8 33 мкГн1
CDRH127/LDNP-560MC, SMD индуктивность 12.3*12.3*8, 56 мкГн 2.9А
CDRH127NP-221MC, SMD индуктивность 220 мкГн 20% 1.16А
CDRH3D28NP-100NC, SMD 4*4*3, 10 мкГн 1.05A
CDRH4D28NP-2R2NC, SMD индуктивность 2.2 мкГн 30% 2.04A 5*5*3
CDRH4D28NP-4R7NC, SMD индуктивность 4.7 мкГн 1,32А 30% 5х5мм
CDRH5D28NP-680NC, SMD индуктивность 68 мкГн 0.52А 6х6мм
CDRH5D28RHPNP-6R8NC, индуктивность
CDRH6D28NP-100NC, SMD индуктивность 10 мкГн 30% 1.7A 7*7*3мм
CDRH6D28NP-220NC, SMD индуктивность 22 мкГн 30% 1.2A 7*7*3,мм
CDRH6D28NP-470NC, SMD индуктивность 47 мкГн 30% 800мА
CDRH6D28NP-470NC, SMD индуктивность 47 мкГн 30% 800мА экран.
CDRH6D38NP-3R3NC
CDRH6D38NP-5R0NC, чип индуктивность SMD 7х7х4мм 5.0uH 2.9A
CDRH74NP-101MC, SMD индуктивность 100 мкГн 20% 600мА
CDRH74NP-680MC-B, #Н/Д
CDRH8D43NP-100NC, SMD индуктивность 10 мкГн 3.2A 30%
CI160808-6N8J, SMD индуктивность 0.0068 мкГн 0603
CI160808-R10J, SMD индуктивность 0.1 мкГн 0603
CLF10060NIT-330M-D
CLF6045T-221M, Индуктивность 220мкГн 20%
CLF6045T-330M-D, Дроссель
CLH1608T-5N6S-S, дроссель
CM201212-R47KL, SMD индуктивность 0.47 мкГн 0805
CM322522-100KL, SMD индуктивность 10 мкГн 1210
CM322522-101KL, SMD индуктивность 100 мкГн 1210
CM322522-101KL, индуктивность 100 мкГн 1210 SMD
CM322522-220KL, SMD индуктивность 22 мкГн 1210
CM322522-270KL, SMD индуктивность 27 мкГн 1210
CM322522-2R2KL, SMD индуктивность 2 2 мкГн 1210
CM322522-330KL, SMD индуктивность 33 мкГн 1210
CM453232-100KL, SMD индуктивность 10 мкГн 1812
CM453232-101KL, SMD индуктивность 100 мкГн 1812
CM453232-101KL, индуктивность 100 мкГн 1812 SMD
CM453232-102KL, 1812, 1000uH 30mA
CM453232-220KL, SMD индуктивность 22 мкГн 1812
CM453232-3R3KL, SMD индуктивность 3 3 мкГн 1812
CM453232-6R8KL, SMD индуктивность 6 8 мкГн 1812
CM453232-821KL, SMD индуктивность 820 мкГн 1812
CR43NP-100MC, SMD индуктивность 1.04 А; 10 мкГн; 20%;
DFE252012F-4R7M=P2, Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 100
DFE252012P-1R0M=P2, индуктивность 1мкГн 20% 1008 (2520)
DR127-100-R, SMD индуктивность 10 мкГн 20%
DR127-101-R, Чип индуктивность 100мкГн
ELGTEA1R0NA, многослойный дроссель SMD 1.0 мкГн 1.0А 0805
ELGTEA1R5NA, многослойный дроссель SMD 1.5 мкГн 1.0А 0805
ELGTEA2R2NA, многослойный дроссель SMD 2.2 мкГн 800 мА 0805
ELGTEA3R3NA, многослойный дроссель SMD 3.3 мкГн 800мА 0805
ELGTEA4R7NA, многослойный дроссель SMD 4.7 мкГн 800мА 0805
ELGTEAR47NA, многослойный дроссель SMD 470 нГн 1.2А 0805
ELJFAR47MF2, SMD индуктивность 0.47 мкГн 20% 1210
ELL8TP100MB, дроссель SMD 10 мкГн 3.0A 8x4.7mm
ELL8TP102MB, дроссель SMD 1000 мкГн 0.33А 8x4.7mm
ELL8TP220MB, дроссель SMD 22.0 мкГн 2.0А 8x4.7mm
Товар добавлен в корзину!