KT852A (2018г), Транзистор PNP, 2.5А, 100В, h21e>=500 [КТ-28-2 / TO-220] (2SB1286)
KT853A (2019г), Транзистор PNP, 8А, 100В, h21e>=750 [КТ-28-2 / TO-220] (BDX54C)
KT854A (2019г), Транзистор NPN, 10А, 500В, h21e>=20 [КТ-28-2 / TO-220] (BU407D)
MJE13007 (2017-18г), Транзистор NPN, 8А, 400В, 80Вт [КТ-28-2 / TO-220]
SiDR104ADP-T1-RE3, Биполярный транзистор N-канал 100В SO-8 6.1мОм 10В 7.2мОм 7.5В
2SC3421, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1А, Vceo=120В, Vcbo=120В, Pd=10Вт [TO-126]
2SD1803, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=20Вт, hFE= 70 400 [TO-252]
BD434, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-4А, Vceo=-22В, Vcbo=-22В, Pd=36Вт , hFE= >= 85 [TO-126]
SIDR140DP-T1-RE3, Биполярный транзистор N-канал 25В SO8 0.67мОм 10В 0.9мОм 4.5В