транзисторы биполярные Производитель: HXY HXY

Код: 2017140023

10N65, 10N65, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 650 В, 10 А, 1.05 Ом, 32 нКл, TO-220F

1020 шт (1 неделя)

32.90	/шт от 5 шт

Код: 2017140024

HXY

12N65, 12N65, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 650 В, 12 А, 0.8 Ом, 40 нКл, корпус TO-220F

620 шт (1 неделя)

47.70	/шт от 10 шт

Код: 2017140854

HXY

16N65F, 16N65F, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 650 В, 16 А, 0.62 Ом, 62 нКл, корпус TO-22

1290 шт (1 неделя)

78.50	/шт от 10 шт

Код: 2017150166

HXY

1N60G, 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223

3700 шт (1 неделя)

9.05	/шт от 50 шт

Код: 2017141844

HXY

20N50

900 шт (1 неделя)

87.90	/шт от 50 шт

Код: 2017140011

HXY

25N06, 25N06, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 60 В, 25 А, 30 мОм, 12.6 нКл, корпус TO-252

4000 шт (1 неделя)

11.90	/шт от 100 шт

Код: 2017139000

HXY

2N7002 (HXY), 2N7002 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 300 мА, 1 Ом, SOT-23

84000 шт (1 неделя)

1.01	/шт от 500 шт

Код: 2017140499

HXY

2N7002DW, 2N7002DW, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N+N-канал, 60 В, 115 мА, 3 Ом, корпус SOT-363

12000 шт (1 неделя)

3.29	/шт от 300 шт

Код: 2017139382

HXY

2SA1015, 2SA1015 HXY биполярный транзистор PNP, -50 В, -0.15 А, SOT-23

16600 шт (1 неделя)

1.05	/шт от 200 шт

Код: 2017145227

HXY

2SC2712, 2SC2712 HXY биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.15 А, SOT-23

22000 шт (1 неделя)

1.05	/шт от 1000 шт

Код: 2017140857

HXY

30N03A, 30N03A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 100 А, 5.5 мОм, 20 нКл, TO-252 (DPAK)

6998 шт (1 неделя)

16.10	/шт от 98 шт

Код: 2017140867

HXY

5N10, 5N10 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 5 А, 125 мОм, SOT-23

14100 шт (1 неделя)

5.13	/шт от 300 шт

Код: 2017139391

HXY

7N65, 7N65 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 650 В, 7 А, 1.2 Ом, TO-220F

1250 шт (1 неделя)

27.70	/шт от 50 шт

Код: 2017140500

HXY

8205A, 8205A HXY полевой транзистор (MOSFET), N+N-канал, 20 В, 6 А, 25 мОм, 11 нКл, SOT-23-6

28200 шт (1 неделя)

3.95	/шт от 300 шт

Код: 2017140874

HXY

9435, 9435 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, SOP-8

12000 шт (1 неделя)

7.16	/шт от 200 шт

Код: 2017140869

HXY

9926A, 9926A HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), N+N канал, 20 В, 6 А, 25 мОм, SOP-8

11750 шт (1 неделя)

4.93	/шт от 250 шт

Код: 2017141840

HXY

AO3400 (HXY), AO3400 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 5.8 А, SOT-23

24000 шт (1 неделя)

1.60	/шт от 3000 шт

Код: 2017140873

HXY

AO3420, AO3420 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 6.5 А, 22 мОм, SOT-23-3L

8800 шт (1 неделя)

6.91	/шт от 200 шт

Код: 2017140871

HXY

AO3422, AO3422 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 4.5 А, 75 мОм, SOT-23

14000 шт (1 неделя)

6.67	/шт от 200 шт

Код: 2017140872

HXY

AO3442, AO3442 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 3 А, 283 мОм, SOT-23-3L

8800 шт (1 неделя)

7.62	/шт от 200 шт

Код: 2017140861

HXY

AO4468 (HXY), AO4468 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, SOP-8

11700 шт (1 неделя)

8.07	/шт от 150 шт

Код: 2017140852

HXY

AO4614, AO4614 HXY полевой транзистор (MOSFET) N+P, 40 В / -40 В, 7.2 А / -6.5 А, 26 мОм, 5.5 нКл, S

8750 шт (1 неделя)

15.70	/шт от 50 шт

Код: 2017140018

HXY

AOD409, AOD409 HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -50 А, 24 мОм, 25 нКл, TO-252 (DPAK)

760 шт (1 неделя)

24.80	/шт от 20 шт

Код: 2017139386

HXY

B772, B772 CTK Биполярный транзистор PNP, -30 В, -3 А, SOT-89

5800 шт (1 неделя)

3.85	/шт от 200 шт

Код: 2017140868

HXY

BSH205G2R, BSH205G2R HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -2.3 А, 140 мОм, SOT-23

12000 шт (1 неделя)

4.76	/шт от 300 шт

Код: 2017139762

HXY

BSS123 (HXY), BSS123 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23

31100 шт (1 неделя)

1.58	/шт от 100 шт

Код: 2017140010

HXY

BSS131, BSS131 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 240 В, 0.22А, 20 Ом, 0.22 нКл, SOT-23

8700 шт (1 неделя)

8.22	/шт от 150 шт

Код: 2017131788

HXY

BSS138, BSS138 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 50 В, 0.22 А, SOT-23

99400 шт (1 неделя)

1.72	/шт от 100 шт

Код: 2017140870

HXY

BSS159N, BSS159N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 0.3 А, 3000 мОм, SOT-23

11800 шт (1 неделя)

6.09	/шт от 200 шт

Код: 2017139772

HXY

BSS169H6327, BSS169H6327 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 0.17 А, 6 Ом, SOT-23

31500 шт (1 неделя)

1.70	/шт от 500 шт

Код: 2017140848

HXY

BSS316N, BSS316N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23

9000 шт (1 неделя)

8.33	/шт от 150 шт

Код: 2017140843

HXY

BSS806, BSS806NEH6327 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 3 А, 60 Ом, 5 нКл, SOT-23

6000 шт (1 неделя)

13.20	/шт от 100 шт

Код: 2017139389

HXY

BSS83PH6327, BSS83PH6327 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -60 В, -2 А, 160 мОм, SOT-23

11900 шт (1 неделя)

12.70	/шт от 100 шт

Код: 2017139012

HXY

BSS84, BSS84 HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -50 В, -0.13 А, 2 Ом, SOT-23

10000 шт (1 неделя)

1.94	/шт от 500 шт

Код: 2017139387

HXY

D882, D882 HXY Биполярный транзистор NPN, 30 В, 3 А, SOT-89

6400 шт (1 неделя)

3.85	/шт от 100 шт

Код: 2017141841

HXY

FDD8447L, FDD8447L HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 60 А, 8.5 мОм, TO-252 (DPAK)

2299 шт (1 неделя)

30.50	/шт от 49 шт

Код: 2017140876

HXY

FDN335N, FDN335N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 2.3 А, 72 мОм, SOT-23

12000 шт (1 неделя)

4.49	/шт от 300 шт

Код: 2017140845

HXY

FDN357N, FDN357N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23

9000 шт (1 неделя)

11.40	/шт от 100 шт

Код: 2017140844

HXY

FDN5618P, FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23

8800 шт (1 неделя)

12.10	/шт от 100 шт

Код: 2017140862

HXY

FDN5630, FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23

5900 шт (1 неделя)

8.33	/шт от 50 шт

DPAK
DPAK/TO-252AA
KT-1-12
KT-1-7 (TO-18)
KT-119
KT-13
KT-14
KT-15
KT-16-2
KT-17
KT-18
KT-2-7
KT-2-7(TO-39)
KT-20
KT-26
KT-27
KT-27-2
KT-272
KT-28
KT-28-2
KT-282
KT-29
KT-30
KT-32
KT-37
KT-431
KT-432
KT-44
KT-45
KT-46
KT-47
KT-52
KT-56
KT-57
KT-8
KT-9
MT-200
SC-74-6
SOD-23
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220F
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TO126
TO218
TO220
TO92
TSSOP-6
КТ-1-7 (TO-18)
КТ-1-9 (TO-18)
КТ-2 (TO-39)
КТ-2-7 (TO-39)
КТ-26 (ТО-92)
КТ-27 (TO-126)
КТ-27 (ТО-126)
КТ-28-2 (TO-220)
КТ-4-2 (TO-60)
КТ-432
КТ-44
КТ-46 (SOT-23)
КТ-56
КТ-89 (TO-252)
КТ-91 (ТО-251)
КТ13
КТЮ-3-1
КТЮ-3-20
КТЮ-3-6
КТЮ-3-9
КТЮ-43-1
ТО-126

Производитель
----- AM AVC Blue Rocket Broadcom/Avago CDIL CJ CN BELL CTK DC Components DI DIODES INC. DIOTEC Diodes Inc Diodes Inc. DiodesZetex Elecsuper FAIR/ONS FUJI FUJI ELECTRIC FUXIN FUXINSEMI Fulihao Tech GALAXY GOFORD HANSCHIP HOTTECH HXY Hitachi Hottech ICS Components INFINEON ISC ISCSEMI IXYS Inchange Inchange Semico Infineon JCET JIANGSU CH JSCJ JSMICRO JSMSEMI Jingdao KEC KLS KUU LGE LRC LUGUANG MCC MIXIC MSKSEMI MULTCMP Mitsubishi Motorola NEC NEX-NXP NXP SEMICONDUCT Nexperia/NXP ONS Olitech PHI Philips REASUNOS ROHM Renesas SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SLKOR SPTECH STM SUNTAN Sanyo TECH PUB TI TRR TopDiodes Topdiode Manufa Toshiba UMW UMW Youtai Semi UTC VBSEMI VISHAY Vishay WAYON WeEn Semicond YJ YONGYUTAI YOUTAI ZH onsemi (Semicon Альфа ВЗПП Воронежский ЗПП Гамма Далекс ИНТЕГРАЛ Интеграл Искра КРЕМНИЙ Китай Кремний НИИПП Томск НПП УРЛЗ Планета Пульсар Россия СВЕТЛАНА Тайвань Томск Транзистор УРЛЗ ФЗМТ ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 32 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 32 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 180 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
h_{fe коэффициент передачи}
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус

type_26
NPN транзистор с диодом%%%transistor-pnp-with-diod NPN транзистор%%%transistor-npn PNP транзистор%%%transistor-pnp Дарлингтон%%%darlington

транзисторы биполярные 110

транзисторы биполярные ₁₁₀