Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы полевые VBSEMI162

Производитель  





































































































Структура  







Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 














































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 










































































































































Крутизна S, А/В 

























































































































































































Особенности  
Корпус  
Код: 2016542499
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]    = FDD6637
VBSEMI

FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] = FDD6637

2000 шт
шт.
Код: 2015812250
IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak
VBSEMI

IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak

259 шт
шт.
Код: 2016542432
IRF7103TRPBF-VB, Транзистор N канал  50V 3A [SOIC-8] = IRF7103TRPBF
VBSEMI

IRF7103TRPBF-VB, Транзистор N канал 50V 3A [SOIC-8] = IRF7103TRPBF

5000 шт
шт.
Код: 2016542713
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8]    = IRF7105TRPBF
VBSEMI

IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] = IRF7105TRPBF

3000 шт
шт.
Код: 2015746136
IRF7304TRPBF, транзистор 2P канал -20В -4.7А SO8
VBSEMI

IRF7304TRPBF, транзистор 2P канал -20В -4.7А SO8

6 шт
шт.
Код: 2016827618
IRF7324TRPBF-VB, транзистор 2P канал -20В -9А [SO8]
VBSEMI

IRF7324TRPBF-VB, транзистор 2P канал -20В -9А [SO8]

1000 шт
шт.
Код: 2016542712
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]    = IRF7341TRPBF
VBSEMI

IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] = IRF7341TRPBF

15000 шт
шт.
Код: 2016988955
IRF7342TRPBF-VB, транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8
VBSEMI

IRF7342TRPBF-VB, транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8

10000 шт
шт.
Код: 2015706403
IRF7343TRPBF, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8
VBSEMI

IRF7343TRPBF, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8

8 шт
шт.
Код: 2016543621
IRF7410TRPBF-VB, транзистор P канал -12В -16А (SO8) = IRF7410TRPBF
VBSEMI

IRF7410TRPBF-VB, транзистор P канал -12В -16А (SO8) = IRF7410TRPBF

1000 шт
шт.
Код: 2016827640
IRF7473TRPBF-VB, транзистор Nкан 100В 6.9А  SO8  = IRF7473TPBF
VBSEMI

IRF7473TRPBF-VB, транзистор Nкан 100В 6.9А SO8 = IRF7473TPBF

260 шт
шт.
Код: 2016568931
IRF7842TRPBF-VB, транзистор N канал 40в 18А (SO8 ) = IRF7842TRPBF
VBSEMI

IRF7842TRPBF-VB, транзистор N канал 40в 18А (SO8 ) = IRF7842TRPBF

8000 шт
шт.
Код: 2015758511
IRFR9024NTRPBF-VB, транзистор Р канал -55В -11А DPak
VBSEMI

IRFR9024NTRPBF-VB, транзистор Р канал -55В -11А DPak

17 шт
шт.
Код: 2016543601
IRL6372TRPBF-VB, Транзистор N канал 30V 7.5A (SO-8) =  IRL6372TRPBF
VBSEMI

IRL6372TRPBF-VB, Транзистор N канал 30V 7.5A (SO-8) = IRL6372TRPBF

850 шт
шт.
Код: 2016542397
IRLML0100TRPBF-VB, N-канал транзистор 100В 2А 240мОм/10В SOT23-3 (=IRLML0100TRPBF)
VBSEMI

IRLML0100TRPBF-VB, N-канал транзистор 100В 2А 240мОм/10В SOT23-3 (=IRLML0100TRPBF)

7000 шт
шт.
Код: 2016569310
IRLML2244TRPBF-VB, транзистор P канал20В -4.3A (SOT23)= IRLML2244TRPBF
VBSEMI

IRLML2244TRPBF-VB, транзистор P канал20В -4.3A (SOT23)= IRLML2244TRPBF

5000 шт
шт.
Код: 2015722567
IRLML6344TR, транзистор N канал 30В 5А Micro3/SOT23  = IRLML6344TRPBF
VBSEMI

IRLML6344TR, транзистор N канал 30В 5А Micro3/SOT23 = IRLML6344TRPBF

5105 шт
шт.
Код: 2016543610
IRLR3636TRPBF-VB, Транзистор N-канал, 97A, 60V (TO 252) = IRLR3636TRPBF
VBSEMI

IRLR3636TRPBF-VB, Транзистор N-канал, 97A, 60V (TO 252) = IRLR3636TRPBF

3000 шт
шт.
Код: 2015721499
IRLU024NPB-VB, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRLU024NPBF
VBSEMI

IRLU024NPB-VB, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRLU024NPBF

497 шт
шт.
Код: 2016543624
PSMN017-80BS-VB, Транзистор N канал 80V 120A 6mOhm@10V (TO-263) = PSMN017-80BS,118
VBSEMI

PSMN017-80BS-VB, Транзистор N канал 80V 120A 6mOhm@10V (TO-263) = PSMN017-80BS,118

1000 шт
шт.
Код: 2016542709
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор  N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]= SI2308BDS-T1-GE3
VBSEMI

SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]= SI2308BDS-T1-GE3

1000 шт
шт.
Код: 2016543619
STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал  40V 16.1A 10m-@10V,16.1A (SO-8) = STS10P4LLF6
VBSEMI

STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал 40V 16.1A 10m-@10V,16.1A (SO-8) = STS10P4LLF6

500 шт
шт.
Код: 2015734272
VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт   SOT23-3
VBSEMI

VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3

20 шт
шт.
Код: 2015734267
VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
VBSEMI

VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)

2863 шт
шт.
Код: 2015734270
VBA2216, 1  P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  аналог  NTMS10P02R2G
VBSEMI

VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт
шт.
Код: 2015734271
VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  аналог  NTMS10P02R2G
VBSEMI

VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт
шт.
Код: 2016568936
VBA3328, транзистор 2N канал 30В 6.5А (SO8)= IRF7313TRPBF
VBSEMI

VBA3328, транзистор 2N канал 30В 6.5А (SO8)= IRF7313TRPBF

9920 шт
шт.
Код: 2015734268
VBA3638, 1  Dual N-Channel 60 V (D-S) 175  C MOSFET   аналог    SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI

VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS

1786 шт
шт.
Код: 2016543608
VBA4338, транзистор P канал -30V  -6.3A (SO-8) = IRF7306TRPBF
VBSEMI

VBA4338, транзистор P канал -30V -6.3A (SO-8) = IRF7306TRPBF

990 шт
шт.
Код: 2015782599
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
VBSEMI

VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF

3405 шт
шт.
Код: 2015711154
VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог  IRF720SPBF
VBSEMI

VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF

15 шт
шт.
Код: 2015711156
VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET  аналог  IRF740ASPBF
VBSEMI

VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF

132 шт
шт.
Код: 2016568933
VBZE50P06, транзистор P канал  A-50 V-60 (TO)-252 = 50P06
VBSEMI

VBZE50P06, транзистор P канал A-50 V-60 (TO)-252 = 50P06

2000 шт
шт.
Код: 2015716340
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог  RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6
VBSEMI

VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6

943 шт (в резерве 3)
шт.
Код: 2016542420
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8]  = IRF7240PBF
VBSEMI

IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8] = IRF7240PBF

поступит 29.10.24
шт.
Код: 2016543595
IRLML2402TRPBF -VB, транзистор N канал 20В 1.2А (SOT23) = IRLML2402TRPBF
VBSEMI

IRLML2402TRPBF -VB, транзистор N канал 20В 1.2А (SOT23) = IRLML2402TRPBF

поступит 29.10.24
шт.
Код: 2016543325
IRLML2502TRPBF-VB, транзистор N канал 20V 6A  (SOT-23-3) = IRLML2502TRPBF
VBSEMI

IRLML2502TRPBF-VB, транзистор N канал 20V 6A (SOT-23-3) = IRLML2502TRPBF

поступит 29.10.24
шт.
Код: 2016827606
IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30  (SOT23-3)
VBSEMI

IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30 (SOT23-3)

поступит 29.10.24
шт.
Код: 2016542437
IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3]  = IRLML9301TRPBF
VBSEMI

IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3] = IRLML9301TRPBF

поступит 29.10.24
шт.
Код: 2016542704
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]    = SI2319CDS-T1-GE3
VBSEMI

SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] = SI2319CDS-T1-GE3

поступит 29.10.24
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!