BSP129-VB, транзистор N-канал 240В 6Ом 0,05А SOT-223
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] = FDD6637
IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak
IRF7103TRPBF-VB, Транзистор N канал 50V 3A [SOIC-8] = IRF7103TRPBF
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] = IRF7105TRPBF
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8] = IRF7240PBF
IRF7304TRPBF, транзистор 2P канал -20В -4.7А SO8
IRF7313TRPBF-VB, транзистор 2N канал 30В 6.5А (SO8)= IRF7313TRPBF
IRF7324TRPBF-VB, транзистор 2P канал -20В -9А [SO8]
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] = IRF7341TRPBF
IRF7342TRPBF-VB, транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8
IRF7343TRPBF, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8
IRF7410TRPBF-VB, транзистор P канал -12В -16А (SO8) = IRF7410TRPBF
IRF7452TRPBF-VB, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9A (SOP8) = IRF7452TRPBF
IRF7473TRPBF-VB, транзистор Nкан 100В 6.9А SO8 = IRF7473TPBF
IRF7842TRPBF-VB, транзистор N канал 40в 18А (SO8 ) = IRF7842TRPBF
IRFR9024NTRPBF-VB, транзистор Р канал -55В -11А DPak
IRL6372TRPBF-VB, Транзистор N канал 30V 7.5A (SO-8) = IRL6372TRPBF
IRLML0100TRPBF-VB, N-канал транзистор 100В 2А 240мОм/10В SOT23-3 (=IRLML0100TRPBF)
IRLML2244TRPBF-VB, транзистор P канал20В -4.3A (SOT23)= IRLML2244TRPBF
IRLML2402TRPBF -VB, транзистор N канал 20В 1.2А (SOT23)
IRLML2502TRPBF-VB, транзистор N канал 20V 6A (SOT-23-3) = IRLML2502TRPBF
IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30 (SOT23-3)
IRLML6344TR, транзистор N канал 30В 5А Micro3/SOT23 = IRLML6344TRPBF
IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3] = IRLML9301TRPBF
IRLR3636TRPBF-VB, Транзистор N-канал, 97A, 60V (TO 252) = IRLR3636TRPBF
IRLU024NPB-VB, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRLU024NPBF
PSMN017-80BS-VB, Транзистор N канал 80V 120A 6mOhm@10V (TO-263) = PSMN017-80BS,118
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]= SI2308BDS-T1-GE3
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] = SI2319CDS-T1-GE3
STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал 40V 16.1A 10m-@10V,16.1A (SO-8) = STS10P4LLF6
VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3
VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G
VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBA4338, транзистор P канал -30V -6.3A (SO-8) = IRF7306TRPBF
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF
VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF
Товар добавлен в корзину!