Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015154411

SKIIP23NAB126V1 [SKIIP23NAB126V1+StdLid], Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фаз

1-2 недели (30шт)

19500.00	/шт от 1 шт
19200.00	/шт от 1 шт

Код: 2012870201

SEMIKRON

SKIIP23NAB126V1, MiniSKiiPR 3

9 шт 5 раб. дней

8140.07	/шт от 1 шт
7754.67	/шт от 2 шт

Код: 2015706307

SEMIKRON

SKIIP23NAB12T4V1, MiniSKiiPR 3

31 шт 5 раб. дней

3875.40	/шт от 1 шт
3841.49	/шт от 2 шт

Код: 2015566091

Semikron

SKIIP35NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой

1-2 недели (30шт)

30600.00	/шт от 1 шт
30100.00	/шт от 1 шт

Код: 2015706309

SEMIKRON

SKIIP35NAB12T4V1, MiniSKiiPR 3

43 шт 5 раб. дней

10244.53	/шт от 1 шт
9798.08	/шт от 2 шт

Код: 2014945273

SEMIKRON

SKM100GB125DN, SEMITRANSR 2N (Case D93)

6 шт 5 раб. дней

10496.04	/шт от 1 шт
10156.08	/шт от 2 шт

Код: 2015498198

Semikron

SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

1-2 недели (20шт)

25900.00	/шт от 1 шт
25400.00	/шт от 1 шт

Код: 2016986867

SEMIKRON

SKM100GB12T4, SEMITRANSR 2

80 шт 5 раб. дней

5908.51	/шт от 1 шт
5673.78	/шт от 3 шт

Код: 2015483435

Semikron

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

1-2 недели (70шт)

13400.00	/шт от 1 шт
13200.00	/шт от 1 шт

Код: 2016114625

SEMIKRON

SKM100GB12T4G, SEMITRANSR 3

15 шт 5 раб. дней

4700.16	/шт от 1 шт
4659.72	/шт от 2 шт

Код: 2014945271

SEMIKRON

SKM100GB176D, SEMITRANSR 2

8 шт 5 раб. дней

6776.46	/шт от 1 шт
6467.41	/шт от 2 шт

Код: 2016912920

SEMIKRON

SKM100GB17E4, GB

28 шт 5 раб. дней

5041.56	/шт от 1 шт
4920.83	/шт от 2 шт

Код: 2011174658

SEMIKRON

SKM150GB12T4G, SEMITRANSR 3

3 шт 5 раб. дней

6239.74	/шт от 1 шт
6187.75	/шт от 2 шт

Код: 2017099472

SEMIKRON

SKM150GB17E4G, SEMITRANSR 3

24 шт 5 раб. дней

7446.54	/шт от 1 шт
7291.58	/шт от 2 шт

Код: 2012186435

SEMIKRON

SKM200GB12E4, SEMITRANSR 3 (Case D56)

4 шт 5 раб. дней

8604.95	/шт от 1 шт
8535.27	/шт от 2 шт

Код: 2015468869

SEMIKRON

SKM200GB12T4, SEMITRANSR 3 (Case D56)

26 шт 5 раб. дней

10035.91	/шт от 1 шт
9593.76	/шт от 2 шт

Код: 2016422428

SEMIKRON

SKM300GAL12T4, SEMITRANSR 3

12 шт 5 раб. дней

10985.73	/шт от 1 шт
10483.69	/шт от 2 шт

Код: 2011040850

SEMIKRON

SKM50GB12T4, GB

1 шт 5 раб. дней

3732.56	/шт от 1 шт
3699.72	/шт от 2 шт

Код: 2011040852

SEMIKRON

SKM75GB12T4, GB

1 шт 5 раб. дней

3197.94	/шт от 1 шт
3169.40	/шт от 2 шт

Код: 2010991547

SEMIKRON

SKM75GB176D, SEMITRANSR 2 (Case D61)

14 шт 5 раб. дней

6459.61	/шт от 1 шт
6146.60	/шт от 2 шт

Код: 2015987645

SEMIKRON

SKM75GB17E4, SEMITRANSR 2

72 шт 5 раб. дней

3983.61	/шт от 1 шт
3948.74	/шт от 2 шт

Код: 2010058250

Semikron

standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1

1-2 недели (20шт)

170.00	/шт от 1 шт
155.00	/шт от 10 шт

Код: 2014890484

SEMIKRON

SEMiX202GB12E4s, IGBT модуль

под заказ

15100.00	/шт от 1 шт
14500.00	/шт от 2 шт

Код: 525620288

SEMIKRON

SKM100GB125DN, IGBT модуль

под заказ

3300.00	/шт от 1 шт
2760.00	/шт от 2 шт

Код: 2014890475

SEMIKRON

SKM100GB176D, IGBT модуль

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
6480.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY BYD MICROELECTR CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MARCHING POWER MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD

Силовые IGBTи SiC модули Semikron25

Силовые IGBTи SiC модули Semikron₂₅