Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН
Товаров: 0
На сумму: 0 руб.
КАТАЛОГ
Электронные компоненты, радиодеталиКоммутацияОптоэлектроникаИндикацияСветодиоды осветительныеОсвещениеИсточники питанияДатчикиКорпусные и установочные изделияПровода, шнуры, расходные материалыИзмерительные приборыПаяльное оборудованиеИнструментПромышленная автоматикаЭлектротехническое оборудованиеЭлектроника для дома и авто

транзисторы полевые импортные 4479

Показать таблицей
Производитель  






























































































Структура  







Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 











































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 







































































































































Крутизна S, А/В 



























































































































































































Особенности  
Корпус  
Наименование   Наличие Цена, руб. с НДС Купить
10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS; STP9N65M=(ST)
UMW 2015707147

документация 		10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS; STP9N65M=(ST) 906 шт
69.00 /шт от 1 шт
52.20 /шт от 30 шт
шт
15N10, [TO-252]; 100V 15A 50W 80mR@10V,10A 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=FQD13N10L(ON);=TK15S10
UMW 2015707227

документация 		15N10, [TO-252]; 100V 15A 50W 80mR@10V,10A 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=FQD13N10L(ON);=TK15S10 2082 шт
24.00 /шт от 1 шт
17.90 /шт от 100 шт
шт
2N7002, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23]
YJ 2013048836

документация 		2N7002, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 350мВт [SOT-23] 28090 шт
2.00 /шт от 1 шт
1.39 /шт от 1000 шт
шт
2N7002A-7-F, транзистор SOT-23-3
Diodes Inc. 2015095870

документация 		2N7002A-7-F, транзистор SOT-23-3 287 шт
18.00 /шт от 1 шт
10.70 /шт от 2 шт
шт
2N7002B, [SOT-23]; 60V 115mA 5R@10V,500mA 225mW 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=NDC7002N(ON);=2N7
UMW 2015707637

документация 		2N7002B, [SOT-23]; 60V 115mA 5R@10V,500mA 225mW 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=NDC7002N(ON);=2N7 4560 шт
2.00 /шт от 1 шт
0.96 /шт от 1000 шт
шт
2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23
VISHAY 261932366

документация 		2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23 10925 шт
10.00 /шт от 1 шт
8.82 /шт от 10 шт
шт
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
RENESAS 2014652039

документация 		2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 404 шт
1100.00 /шт от 1 шт
931.00 /шт от 2 шт
шт
AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8
Alpha & Omega 2015680902

документация 		AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8 58 шт
170.00 /шт от 1 шт
139.00 /шт от 5 шт
шт
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323]
Fulihao Tech 2015784877
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323] 2400 шт
3.00 /шт от 1 шт
1.69 /шт от 1000 шт
шт
BF862,215, SOT-23
NEX-NXP 2016414065

документация 		BF862,215, SOT-23 7 шт
510.00 /шт от 1 шт
367.00 /шт от 5 шт
шт
BF998E6327HTSA1, SOT143
Infineon 2015497238

документация 		BF998E6327HTSA1, SOT143 2374 шт
46.00 /шт от 1 шт
42.10 /шт от 100 шт
шт
BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8
Infineon 2015842575

документация 		BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8 298 шт
150.00 /шт от 1 шт
110.00 /шт от 2 шт
шт
BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8
Infineon 2015849808

документация 		BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8 570 шт
200.00 /шт от 1 шт
166.00 /шт от 10 шт
шт
BSO110N03MSG, Транзистор полевой N-канал 30В 10A DSO8
Infineon 2015849845

документация 		BSO110N03MSG, Транзистор полевой N-канал 30В 10A DSO8 1000 шт
96.00 /шт от 1 шт
85.60 /шт от 10 шт
шт
BSP129H6327XTSA1, SOT-223
Infineon 2015497233

документация 		BSP129H6327XTSA1, SOT-223 384 шт
130.00 /шт от 1 шт
117.00 /шт от 30 шт
шт
BSS138, N-канальный MOSFET, 50В, 0.22А, 0.35Вт [SOT-23]
HOTTECH 2014434164

документация 		BSS138, N-канальный MOSFET, 50В, 0.22А, 0.35Вт [SOT-23] 13635 шт (в резерве 200)
2.00 /шт от 1 шт
1.40 /шт от 1000 шт
шт
BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23]
YJ 2015811277

документация 		BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23] 2000 шт
4.00 /шт от 1 шт
2.58 /шт от 1000 шт
шт
BSS138LT1G, транзистор N канал 50В 200мА SOT23-3
ONS 2016542368

документация 		BSS138LT1G, транзистор N канал 50В 200мА SOT23-3 4917 шт
17.00 /шт от 1 шт
13.30 /шт от 50 шт
шт
BSS138NH6327XTSA2, Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
INFINEON 2015465367

документация 		BSS138NH6327XTSA2, Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 90 шт
34.00 /шт от 1 шт
21.60 /шт от 2 шт
шт
BSS138W-7-F, SOT-323
Diodes Inc. 2015962803

документация 		BSS138W-7-F, SOT-323 2000 шт
15.00 /шт от 1 шт
11.80 /шт от 100 шт
шт
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
TI 598895230

документация 		CSD16404Q5A, транзистор 8SON 77 шт
150.00 /шт от 1 шт
136.00 /шт от 3 шт
шт
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А DPAK/TO-252AA
ONS 2015989480

документация 		FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А DPAK/TO-252AA 652 шт
68.00 /шт от 1 шт
60.30 /шт от 12 шт
шт
GT55N06D5
GOFORD 2015588304

документация 		GT55N06D5 71 шт
31.00 /шт от 1 шт
23.40 /шт от 100 шт
шт
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1)
SEMIHOW 2011281280
лучшая цена
документация 		HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1) 4469 шт
37.00 /шт от 1 шт
35.40 /шт от 50 шт
шт
HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо S
semihow 2011298299
лучшая цена
документация 		HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо S 927 шт
120.00 /шт от 1 шт
106.00 /шт от 100 шт
шт
HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF)
SEMIHOW 2012074949

документация 		HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF) 975 шт
24.00 /шт от 1 шт
21.70 /шт от 200 шт
шт
HKTG120N04, N-канальный MOSFET, 40В, 120А (PDFN5x6)
HOTTECH 2015886153
HKTG120N04, N-канальный MOSFET, 40В, 120А (PDFN5x6) 4982 шт
50.00 /шт от 1 шт
39.30 /шт от 100 шт
шт
HKTQ150N03, N-канальный MOSFET, 30В, 150А (PDFN3333)
HOTTECH 2015886151
HKTQ150N03, N-канальный MOSFET, 30В, 150А (PDFN3333) 4920 шт
26.00 /шт от 1 шт
20.20 /шт от 190 шт
шт
HKTQ30P03, P-канальный MOSFET, -30В, -60А, 32мВт (PDFN3333)
HOTTECH 2015884196

документация 		HKTQ30P03, P-канальный MOSFET, -30В, -60А, 32мВт (PDFN3333) 4970 шт
15.00 /шт от 1 шт
11.80 /шт от 350 шт
шт
IPD180N10N3G, транзистор N канал 100В 43А PG-TO252-3
Infineon 2015702742

документация 		IPD180N10N3G, транзистор N канал 100В 43А PG-TO252-3 1422 шт
180.00 /шт от 1 шт
147.00 /шт от 10 шт
шт
IPD60R210PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 42А DPAK
Infineon 2015849819

документация 		IPD60R210PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 42А DPAK 7 шт
98.00 /шт от 1 шт
87.30 /шт от 10 шт
шт
IPD80R2K0P7ATMA1, N канал транзистор 800В 3А DPAK
Infineon 2015849821

документация 		IPD80R2K0P7ATMA1, N канал транзистор 800В 3А DPAK 50 шт
64.00 /шт от 1 шт
45.80 /шт от 10 шт
шт
IPP039N04LGXKSA1, N канал транзистор 40В 80А TO220-3
Infineon 2015849825

документация 		IPP039N04LGXKSA1, N канал транзистор 40В 80А TO220-3 159 шт
98.00 /шт от 1 шт
87.40 /шт от 10 шт
шт
IPW60R041C6FKSA1, транзистор 600В TO-247
Infineon 2015751626

документация 		IPW60R041C6FKSA1, транзистор 600В TO-247 1421 шт
3800.00 /шт от 1 шт
3510.00 /шт от 2 шт
шт
IRF1404PBF, ТО220AB
Infineon 2015956834

документация 		IRF1404PBF, ТО220AB 222 шт
230.00 /шт от 1 шт
153.00 /шт от 25 шт
шт
IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB
Infineon 2014437133

документация 		IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB 1978 шт
82.00 /шт от 1 шт
72.60 /шт от 10 шт
шт
IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB
Infineon 635120700

документация 		IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB 420 шт
72.00 /шт от 1 шт
54.60 /шт от 30 шт
шт
IRF150P220, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 203 А, 0.0023 Ом, TO-247
Infineon 2015844564

документация 		IRF150P220, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 203 А, 0.0023 Ом, TO-247 500 шт
1000.00 /шт от 1 шт
1000.00 /шт от 10 шт
шт
IRF2807PBF, транзистор Nкан 75В 82А ТО220AB
Infineon 968199713

документация 		IRF2807PBF, транзистор Nкан 75В 82А ТО220AB 4939 шт
56.00 /шт от 1 шт
42.50 /шт от 30 шт
шт
IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262]
Infineon 94482419

документация 		IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262] 165 шт
170.00 /шт от 1 шт
139.00 /шт от 30 шт
шт

Купить транзисторы полевые импортные в интернет-магазине

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал, и управляемым электрическим полем. Полевой транзистор в отличии от биполярного называют униполярным, так как его работа основана на использовании только основных носителей заряда – либо электронов, либо дырок. Поэтому в полевых транзисторах отсутствуют изменения (накопления и рассасывания) объемного заряда неосновных носителей, оказывающие заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов.

Интернет-магазин Платан предлагает Транзисторы и транзисторы полевые импортные различных производителей по конкурентной цене. Для выбора компонента используйте поиск по параметрам, техническую документацию и описание. Доставка товара осуществляется различными транспортными компаниями или самовывозом из офисов в Москве и Санкт-Петербурге, предлагаем любые виды оплаты.