Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015700026

GD75PIY120C6SNF, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13000.00	/шт от 1 шт
11900.00	/шт от 2 шт

Код: 2015986273

starpower

GD800HFA120C2S_B20, 1200V/800A 2 in one-package

под заказ

11500.00	/шт от 1 шт
10600.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699871

starpower

GD800HFX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss, аналог для CM800DZ-34H

под заказ

53500.00	/шт от 1 шт
48200.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699869

starpower

GD800HFY120C3S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699921

starpower

GD800HTX65P4S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699870

starpower

GD800SGX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015700035

starpower

GD80TLQ120F1S, Advanced Trench FS Fast IGBT

под заказ

7400.00	/шт от 1 шт
6670.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699922

starpower

GD820HTX75P6HB, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699923

starpower

GD820HTX75P6HL, Trench FS IGBT, Low Loss PTP FS820R08A6P2LB, TG820FF08S3-S4A21

под заказ

71300.00	/шт от 1 шт
65300.00	/шт от 3 шт

Код: 2015699874

starpower

GD900CLY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699873

starpower

GD900CUY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015986275

starpower

GD900HFA120C6S, 1200V/900A 2 in one-package

под заказ

11300.00	/шт от 1 шт
10500.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699872

starpower

GD900HFY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699875

starpower

GD900SGU120C3SN, NPT Ultra Fast IGBT

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699876

starpower

GD900SGU120C3SN, NPT Ultra Fast IGBT (SIC Diode)

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015986274

starpower

GD900SGX120C2SA_B20, 1200V/900A 1 in one-package

под заказ

11700.00	/шт от 1 шт
10900.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699877

starpower

GD900TLY120P2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

82000.00	/шт от 1 шт
80800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699924

starpower

GD950HTX75P6HB, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699925

starpower

GD950HTX75P6HLB, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 2 шт

Код: 2015505374

Infineon

IGBT FF1400R12IP4

под заказ

108000.00	/шт от 1 шт
106000.00	/шт от 2 шт

Код: 2012022272

Mitsubishi

J1BCP78042A, IGBT модуль

под заказ

366000.00	/шт от 1 шт
274000.00	/шт от 2 шт

Код: 2012022292

Mitsubishi

J1BWJA, IGBT модуль

под заказ

394000.00	/шт от 1 шт
296000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015929878

Hitachi

MBM1000FS17G, IGBT модуль 1700В 1000А

под заказ

148000.00	/шт от 1 шт
133000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015715770

Hitachi

MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V

под заказ

320000.00	/шт от 1 шт
274000.00	/шт от 10 шт

Код: 2015699885

starpower

MD120HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
220.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699928

starpower

MD13HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

Код: 2015699886

starpower

MD200HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
220.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699927

starpower

MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

265000.00	/шт от 1 шт
249000.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699926

starpower

MD29HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

265000.00	/шт от 1 шт
247000.00	/шт от 10 шт

Код: 2015699889

starpower

MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
220.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699890

starpower

MD300HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
220.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699891

starpower

MD400HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
220.00	/шт от 2 шт

Код: 2015806191

MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4

под заказ

4600.00	/шт от 1 шт
4110.00	/шт от 5 шт

Код: 2015698234

MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4

под заказ

4600.00	/шт от 1 шт
3660.00	/шт от 4 шт

Код: 2015340950

MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50

под заказ

14600.00	/шт от 1 шт
11700.00	/шт от 2 шт

Код: 2015648691

MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)

под заказ

12000.00	/шт от 1 шт
9540.00	/шт от 2 шт

Код: 2015670479

MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)

под заказ

4600.00	/шт от 1 шт
2610.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670470

MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
1640.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670605

MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)

под заказ

3400.00	/шт от 1 шт
1940.00	/шт от 5 шт

Код: 2015650160

MG150HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1136Вт [C2] = MG150HF12MRC2

под заказ

14000.00	/шт от 1 шт
12500.00	/шт от 5 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1148

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₄₈