конденсаторы танталовые SMD Vishay₇₅₀

293D475X9050D2TE3, танталовый SMD конденсатор 4.7мкФ 50В тип D 10%

TR3D475K050C0300, Танталовый конденсатор твердотельный SMD 4.7uF 50V 10%

293D106X9050E2TE3, танталовый SMD конденсатор 10мкФ 50В 293D 10% тип E

293D226X9020D2TE3, танталовый SMD конденсатор 22мкф 20В тип D 10%

293D225X96R3A2TE3, 3216-18, чип тант.6.3В 2.2мкФ 10% A

293D475X96R3A2TE3, 3216-18, чип тант.6.3В 4.7мкФ 10% A

293D106X96R3A2TE3, 3216-18, чип тант.6.3В 10мкФ 10% A

293D106X06R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 10мкФ 20% B

293D156X96R3A2TE3, 3216-18, чип тант.6.3В 15мкФ 10% A

293D226X96R3A2TE3, 3216-18, чип тант.6.3В 22мкФ 10% A

293D226X96R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 22мкФ 10% B

293D336X96R3A2TE3 [DC11+], 3216-18, чип тант.6.3В 33мкФ 10% A

293D336X96R3A2TE3, 3216-18, чип тант.6.3В 33мкФ 10% A

293D336X96R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 33мкФ 10% B

293D336X06R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 33мкФ 20% B

293D476X96R3A2TE3, 3216-18, чип тант.6.3В 47мкФ 10% A

TR3A476K6R3C0800, 3216-18, чип тант.6.3В 47мкФ 10% A L.ESR

293D476X96R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 47мкФ 10% B

TR3B476K6R3C0500, 3528-21, чип тант.6.3В 47мкФ 10% B L.ESR

293D476X96R3C2TE3, 6032-28, чип тант.6.3В 47мкФ 10% C

293D476X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 47мкФ 10% D

293D476X06R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 47мкФ 20% B

293D686X96R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 68мкФ 10% B

293D686X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 68мкФ 10% D

293D107X96R3B2TE3, 3528-21, чип тант.6.3В 100мкФ 10% B

293D107X96R3C2TE3, 6032-28, чип тант.6.3В 100мкФ 10% C

293D107X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 100мкФ 10% D

293D157X96R3C2TE3, 6032-28, чип тант.6.3В 150мкФ 10% C

293D157X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 150мкФ 10% D

293D227X96R3C2TE3, 6032-28, чип тант.6.3В 220мкФ 10% C

293D227X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 220мкФ 10% D

293D337X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 330мкФ 10% D

593D337X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 330мкФ 10% D L.ESR

293D337X96R3E2TE3, 7343-43, чип тант.6.3В 330мкФ 10% E

593D337X96R3E2TE3, 7343-43, чип тант.6.3В 330мкФ 10% E L.ESR

293D477X96R3D2TE3, 7343-28, чип тант.6.3В 470мкФ 10% D

TR3D477K6R3C0200, 7343-28, чип тант.6.3В 470мкФ 10% D L.ESR

293D477X96R3E2TE3, 7343-43, чип тант.6.3В 470мкФ 10% E

593D477X96R3E2TE3, 7343-43, чип тант.6.3В 470мкФ 10% E L.ESR

TR3E687M6R3C0100, 7343-43, TECAP 680/6.3V E 20 lowESR

293D225X9010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 2.2мкФ 10% A

293D335X9010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 3.3мкФ 10% A

TMCP1A335MTRF, 2012-12, чип тант.10В 3.3мкФ 20% P

293D475X9010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 4.7мкФ 10% A

293D475X9010B2TE3, 3528-21, чип тант.10В 4.7мкФ 10% B

293D685X9010B2TE3, 3528-21, чип тант.10В 6.8мкФ 10% B

293D106X9010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 10мкФ 10% A

293D156X9010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 15мкФ 10% A

593D106X9010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 10мкФ 10% A L.ESR

293D106X9010B2TE3, 3528-21, чип тант.10В 10мкФ 10% B

293D106X9010C2TE3, 6032-28, чип тант.10В 10мкФ 10% C

293D106X0010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 10мкФ 20% A

293D106X0010B2TE3, 3528-21, чип тант.10В 10мкФ 20% B

293D156X9010B2TE3, 3528-21, чип тант.10В 15мкФ 10% B

293D156X9010C2TE3, 6032-28, чип тант.10В 15мкФ 10% C

293D226X9010A2TE3, 3216-18, чип тант.10В 22мкФ 10% A

293D226X9010B2TE3, 3528-21, чип тант.10В 22мкФ 10% B

TR3B226K010C0700, 3528-21, чип тант.10В 22мкФ 10% B L.ESR

293D226X9010C2TE3, 6032-28, чип тант.10В 22мкФ 10% C

293D336X0010D2TE3, 7343-28, чип тант.10В 33мкФ 20% D