Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015343696

SKM150GAL12T4, SEMITRANSR 2

23 шт 5 раб. дней

5555.46	/шт от 1 шт
5284.44	/шт от 2 шт

Код: 2011362213

SEMIKRON

SKM150GB12T4, SEMITRANSR 2

10 шт 5 раб. дней

6415.42	/шт от 1 шт
6167.19	/шт от 3 шт

Код: 2012186435

SEMIKRON

SKM200GB12E4, SEMITRANSR 3 (Case D56)

4 шт 5 раб. дней

13003.65	/шт от 1 шт
12417.34	/шт от 2 шт

Код: 2015468869

SEMIKRON

SKM200GB12T4, SEMITRANSR 3 (Case D56)

55 шт 5 раб. дней

9735.31	/шт от 1 шт
9308.54	/шт от 2 шт

Код: 2011040850

SEMIKRON

SKM50GB12T4, GB

6 шт 5 раб. дней

4611.72	/шт от 1 шт
4572.04	/шт от 2 шт

Код: 2011040852

SEMIKRON

SKM75GB12T4, GB

12 шт 5 раб. дней

5020.60	/шт от 1 шт
4772.96	/шт от 2 шт

Код: 2015987645

SEMIKRON

SKM75GB17E4, SEMITRANSR 2

72 шт 5 раб. дней

5343.03	/шт от 1 шт
5215.59	/шт от 2 шт

Код: 2010026148

STM

STGIPN3H60, NDIP26

1 шт 5 раб. дней

2221.59	/шт от 1 шт
2102.37	/шт от 2 шт

Код: 2010026059

STM

STGIPN3H60A, NDIP26

24 шт 5 раб. дней

1131.51	/шт от 1 шт
1065.99	/шт от 3 шт

Код: 2010026150

STM

STGIPS30C60-H, SDIP25

3 шт 5 раб. дней

3109.01	/шт от 1 шт
2948.19	/шт от 2 шт

Код: 2015941463

Xiner

XNG300B34KC2S8

20 шт 5 раб. дней

12366.29	/шт от 1 шт
11834.49	/шт от 2 шт

Код: 2015906745

Xiner

XNG450B24KC2S

2 шт 5 раб. дней

11624.87	/шт от 1 шт
11122.01	/шт от 2 шт

Код: 2015841885

Xiner

XNG450B24KC5A5

2557 шт 5 раб. дней

9193.50	/шт от 1 шт
8786.74	/шт от 2 шт

Код: 2015913709

Xiner

XNG450B24LC5AL

70 шт 5 раб. дней

10004.11	/шт от 1 шт
9565.09	/шт от 2 шт

Код: 2015154411

Semikron

SKIIP23NAB126V1 [SKIIP23NAB126V1+StdLid], Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фаз

1-2 недели (20шт)

19500.00	/шт от 1 шт
19200.00	/шт от 2 шт

Код: 2015566091

Semikron

SKIIP35NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой

1-2 недели (10шт)

30600.00	/шт от 1 шт
30100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015498198

Semikron

SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

1-2 недели (30шт)

25900.00	/шт от 1 шт
25400.00	/шт от 2 шт

Код: 2015483435

Semikron

SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

1-2 недели (90шт)

13400.00	/шт от 1 шт
13200.00	/шт от 2 шт

Код: 2010058250

Semikron

standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1

1-2 недели (20шт)

170.00	/шт от 1 шт
155.00	/шт от 10 шт

Код: 2016859491

ZHM semi

2E450M120A1P, IGBT модуль 450A 1200В, замена для CM450DX-24T

под заказ

59400.00	/шт от 1 шт
56700.00	/шт от 48 шт

Код: 2015912563

ABB

5SNG1000X170300, 1700V 2 x 1000A

под заказ

95400.00	/шт от 1 шт
86700.00	/шт от 30 шт

Код: 129459517

FUJITSU

7MBR10SA120, модуль 7 IGBT 1200В 10A S серия

под заказ

15300.00	/шт от 1 шт
14700.00	/шт от 4 шт

Код: 2015752478

BYD Microelectr

BIP120035

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
7220.00	/шт от 150 шт

Код: 2015804517

BYD Microelectr

BIP120035V, 1200В 35A 3-фазный IGBT мост, =PSS25SA2FT

под заказ

6000.00	/шт от 1 шт
5620.00	/шт от 10 шт

Код: 2012118654

Mitsubishi

CM1000DU-34NF#301, IGBT модуль 1700В 1000A

под заказ

48500.00	/шт от 1 шт
47300.00	/шт от 2 шт

Код: 739990212

Mitsubishi

CM1000DUC-34NF, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 5 поколение NF серия

под заказ

81500.00	/шт от 1 шт
79800.00	/шт от 2 шт

Код: 513702377

Mitsubishi

CM1000DUC-34SA, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 6 поколение, замена CM1000DU-34NF

под заказ

65400.00	/шт от 1 шт
59400.00	/шт от 2 шт

Код: 686941129

Mitsubishi

CM1000E3U-34NF, IGBT модуль 1700В 1000A 5 поколение NF серия

под заказ

94200.00	/шт от 1 шт
81900.00	/шт от 2 шт

Код: 1911682

Mitsubishi

CM1000HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 1000A 3 поколение H серия

под заказ

67100.00	/шт от 1 шт
58400.00	/шт от 3 шт

Код: 2015054918

Mitsubishi

CM1000HC-66R, IGBT модуль

под заказ

133000.00	/шт от 1 шт
129000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015054917

Mitsubishi

CM1000HC-66R, IGBT модуль

под заказ

119000.00	/шт от 1 шт
109000.00	/шт от 2 шт

Код: 596758934

Mitsubishi

CM100DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

7200.00	/шт от 1 шт
6700.00	/шт от 5 шт

Код: 900082399

Mitsubishi

CM100DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 100A 3 поколение U серия

под заказ

7100.00	/шт от 1 шт
6170.00	/шт от 5 шт

Код: 972741560

Mitsubishi

CM100DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 100A 3 поколение U серия

под заказ

8800.00	/шт от 1 шт
7610.00	/шт от 5 шт

Код: 654774620

Mitsubishi

CM100DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 100А NFH серия

под заказ

10000.00	/шт от 1 шт
8280.00	/шт от 2 шт

Код: 808038575

Mitsubishi

CM100DU-34KA, модуль 2 IGBT 1700В 100A KA серия

под заказ

10400.00	/шт от 1 шт
9710.00	/шт от 2 шт

Код: 203161717

Mitsubishi

CM100DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 100A 50кГц NFH серия

под заказ

6000.00	/шт от 1 шт
5620.00	/шт от 2 шт

Код: 2014432829

Mitsubishi

CM100DY-13T, IGBT модуль T серия STD типа 650В 100А, pin to pin замена CM100DY-12H

под заказ

3400.00	/шт от 1 шт
3250.00	/шт от 2 шт

Код: 501602221

Mitsubishi

CM100DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение A серия, замена CM100DU-24F

под заказ

7800.00	/шт от 1 шт
7190.00	/шт от 2 шт

Код: 113620410

Mitsubishi

CM100DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия (замена CM100DY-24A)

под заказ

9500.00	/шт от 1 шт
7880.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1148

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₄₈