Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы полевые импортные 4479

Производитель  






























































































Структура  







Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 











































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 







































































































































Крутизна S, А/В 



























































































































































































Особенности  
Корпус  
Код: 2012623689
SI3437DV-T1-GE3, MOSFET-транзистор P канал 150В 1.1A TSOP6
Vishay

SI3437DV-T1-GE3, MOSFET-транзистор P канал 150В 1.1A TSOP6

1 шт
шт.
Код: 369701224
SIHG20N50C-E3, транзистор N канал 560В 20А TO247AC (IRFP450/IRFP460(A/LC)
Vishay

SIHG20N50C-E3, транзистор N канал 560В 20А TO247AC (IRFP450/IRFP460(A/LC)

2579 шт
шт.
Код: 2015557348
SIS447DN-T1-GE3, Транзистор, P-канал 20В 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
Vishay

SIS447DN-T1-GE3, Транзистор, P-канал 20В 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

3 шт
шт.
Код: 2015850739
SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-канал 650В 4.5А TO-220FP
Infineon

SPP04N60C3XKSA1, Транзистор N-канал 650В 4.5А TO-220FP

28 шт
шт.
Код: 2011905031
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247
Infineon

SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247

285 шт
шт.
Код: 80688476
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 650В 47А 70мОм TO247
Infineon

SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 650В 47А 70мОм TO247

92 шт
шт.
Код: 2015834846
STD17NF25, транзистор N канал 30В 0.0032Ом 20A DPAK
STM

STD17NF25, транзистор N канал 30В 0.0032Ом 20A DPAK

36 шт
шт.
Код: 2015517271
STD4NK60ZT4, Транзистор  600D 4A  N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
STM

STD4NK60ZT4, Транзистор 600D 4A N Channel TO-252 MOSFETs ROHS

67 шт
шт.
Код: 2015721388
STD8N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 7А 70Вт
STM

STD8N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 7А 70Вт

7 шт
шт.
Код: 2015466416
STP11NK50ZFP, транзистор  TO-220FP-3
STM

STP11NK50ZFP, транзистор TO-220FP-3

365 шт
шт.
Код: 2015931092
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]
STM

STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]

40 шт
шт.
Код: 3205 лучшая цена
TLE5212G, транзистор 2x0.5A 4x50mA low-side SO28
Infineon

TLE5212G, транзистор 2x0.5A 4x50mA low-side SO28

1 шт
шт.
Код: 24171 лучшая цена
TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw.PDSO-24-3
Infineon

TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw.PDSO-24-3

6 шт
шт.
Код: 2015734272
VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт   SOT23-3
VBSEMI

VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3

20 шт
шт.
Код: 2015734267
VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
VBSEMI

VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)

2890 шт
шт.
Код: 2015734270
VBA2216, 1  P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  аналог  NTMS10P02R2G
VBSEMI

VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт
шт.
Код: 2015734271
VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  аналог  NTMS10P02R2G
VBSEMI

VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт
шт.
Код: 2015734268
VBA3638, 1  Dual N-Channel 60 V (D-S) 175  C MOSFET   аналог    SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI

VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS

856 шт
шт.
Код: 2015782599
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
VBSEMI

VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF

3461 шт
шт.
Код: 2015716342
VBE165R07S, N-channel 650V Super Junction Power Mosfet - аналог STD8N65M5
VBSEMI

VBE165R07S, N-channel 650V Super Junction Power Mosfet - аналог STD8N65M5

5 шт
шт.
Код: 2015711154
VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог  IRF720SPBF
VBSEMI

VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF

15 шт
шт.
Код: 2015711156
VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET  аналог  IRF740ASPBF
VBSEMI

VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF

132 шт
шт.
Код: 2015716340
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог  RS65R190F
VBSEMI

VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F

979 шт
шт.
Код: 2015904175
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
WAYON

WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V

575 шт
шт.
Код: 2015904004
WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
WAYON

WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V

1980 шт
шт.
Код: 2015903718
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
WAYON

WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V

1450 шт
шт.
Код: 2015904214
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON

WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V

2144 шт
шт.
Код: 2015846920
WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3
WAYON

WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3

7808 шт
шт.
Код: 2013048847
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
YJ

YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

115 шт (в резерве 20)
шт.
Код: 2015808911
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В
YJ

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

336 шт
шт.
Код: 2015727505
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
YJ

YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

4478 шт
шт.
Код: 2015730438
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
YJ

YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]

4758 шт
шт.
Код: 2015721615
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]   = SFG10S2
YJ

YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060] = SFG10S2

9988 шт
шт.
Код: 2012172012
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP
YJ

YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP

5560 шт
шт.
Код: 2015102892
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060
YJ

YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060

2360 шт
шт.
Код: 2012172015
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]
YJ

YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]

1640 шт
шт.
Код: 2014859872
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
YJ

YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF

2470 шт
шт.
Код: 2012172013
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
YJ

YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF

1680 шт
шт.
Код: 2015810028
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25
YJ

YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

1895 шт
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!